From an electrical standpoint, the MOS structure is equivalent to a parallel plate capacitor. When a voltage is applied between the gate and source terminals, the resulting electric field penetrates through the oxide, creating a so-called "inversion channel" within the channel underneath. The inversion channel is of the same type — P-type or N-type — as the source and drain of the tra
반도체 회로의 미세화에 따라 크로스토크(Cross Talk)와 같은 전류 누설이 문제가 된다. 이와 같은 문제를 해결하기 위하여 절연막으로 하이-K를 사용함으로써 전하를 가두어 전류 누설을 막을 수 있다.
즉 집적도 향상을 위하여 하이케이 증착
저온공정이었던 플라즈마 CVD법에서 발생하던 결점(고
공정과 비교해 볼 때, CVD는 다양성, 적용성, 제품의 품질, 단순성, 재활용성, 생산성, 가격문제 등에서 매우 큰 장점을 가지고 있기 때문에 이번 보고서를 통해서 CVD에 대해서 알아보고자 한다.
2. 본론
2.1 CVD 공정의 원리
우선 CVD 공정의 구조를 살펴보면 첫 번째로 반응기체를 반응용기에 흘려주기
저온 공정으로서 지금까지 확고한 위치를 얻어온 플라즈마 CVD법에서 발생하던 결점(고 에너지이온에 의한 하부기관의 손상 등)을 보완할 뿐만 아니라 그것 이상의 발전 가능성을 가지고 있어 차세대 반도체 소자 즉 ULSI, 초고속 소자, 자외선 레이저 등의 개발에 중요한 역할을 담당하리라고 생각된다.
현미경 column의 맨 위쪽에 위치
필라멘트, shield, anode등으로 구성된 전자총과 집광렌즈로 구성
- Tungsten ( Hair Pin 형), LaB6형, Field Emission (FE) 형 등의 전자총 (Electron Gun)을 장착하여 발생된 전자선을 여러 단계에 걸쳐서 가속관에서 가속시킴
specimen manipulation system
시편은 Cu로 만들어진 grid에 부착