-화학 기상 증착법(CVD)
저압 화학 기상 증착 (Low Pressure CVD, LPCVD)
플라즈마 향상 화학 기상 증착 (Plasma Enhanced CVD, PECVD)
대기압 화학 기상 증착 (Atmospheric Pressure CVD, APCVD)
-물리 기상 증착법(PVD)
금속의 증기를 사용하는 증발(evaporation) 증착법
물질에 물리적인 충격을 주는 방법인 Sputtering 증착법
-At
박막증착 장비의 발달로 인하여 III-V 화합물 반도체 분야에서 빠르게 발전하고 있다. III-V 화합물 반도체는 다양한 밴드갭 에너지를 가지는 박막 제조가 용이하고, 직접천이(direct bandgap) 구조를 가지고 있어 실리콘에 비해 광 흡수율이 높다. 또한 터널접합(tunnel junction) 구조를 이용하여 P-N 접합 태양전
반도체에서 다수 캐리어인 정공 대신 소수 캐리어인 자유전자가 많아진 이 현상을 반전이라고 부른다. 반전 층을 형성시키기 시작하는 VG전압을 문턱전압이라 하고, VT라고 표시한다.
② 증착방법의 종류와 원리
(a) 증착방식
ⓐ PVD (Physical Vapor Deposition) PVD에 해당하는 증착법에는 스퍼터링(Sputter
석유, 석탄, 천연가스 등의 화석에너지 자원들은 고갈되고 있고, 시대가 지나면서 에너지 문제의 중요성은 더욱 증가되어 에너지 안보 문제가 심각하다. 우리나라는 2009년도 기준 에너지 해외 의존도가 약 96.2%로 세계 에너지 시장의 변화에 취약한 구조를 가지고 있다. 특히 중동 지역의 의존도가 2008년
박막으로 증착하여 제조하기에 재료와 제조비용이 낮다는 장점이 있지만 1세대에 비해서 발전효율이 낮다는 단점이 있다. 3세대 태양전지는 앞서의 두 세대에 대하여 장점만을 가지는 차세대 태양전지이며 아직 상용화가 되지 않았다.
아래는 구성 물질에 따른 태양전지를 종류에 따라 도식화하여