공정과정의 종류를 변수로 놓고, 각 device별로 C-V와 I-V를 측정하여 각각의 변수가 Capacitance와 Current에 어떤 영향을 미치는지에 대하여 분석해 본다.
2. 실험이론
① MOSCapacitor
(a) MOSCapacitor의 구조
MOScapacitor의 구조
MOS는 Metal-Oxide-Semiconductor의 약자로, 금속 층과 반도체 물질로 되어 있는 두 개의
실험적인 데이터를 통해 계산한 후 실제 값과 비교하여 본다.
1-2 배경 이론
1-2-1 MOSCapacitor
그림 1.1 Capacitor
그림 1.2 MOScapacitorCapacitor(축전기)란 전기회로에서 전기용량을 지녀 전하를 축적시키는 소자를 지칭한다. MOSCapacitor란 Metal-Oxide-Semiconductor(금속-산화물-반도체)의 3중 구조를 말한
1. 실험목적
MOSCapacitor를 직접제작하며 공정을 이해하고, Dielectric 재료와 열처리 시간 변수에 따른 MOSCapacitor의 특성 및 구동원리를 이해한다.
2. 실험배경
인류는 집적회로(Integrated circuit; IC)의 개발로 많은 수의 Transistor, Capacitor등이 한 개의 반도체 Chip안에 집적화할 수 있게 되었다. 이 점을
1. 실험 목적
MOScapacitor를 직접제작하면서 그 공정을 이해하고, dielectric material의 두께 및 electrode의 크기를 변수로 두고 C-V와 I-V를 측정하여 각각의 변수가 어떤 영향을 미치는지에 대하여 분석해 본다.
2. 실험 배경
1960년에 벨 연구소의 연구진은 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)을
1. 실 험 목 표
MOSCapacitor를 직접제작하여 원리 및 공정을 이해하고,
전극의 크기(1mm, 2mm, 3mm)에 따른 C-V, I-V값을 측정해 MOSCapacitor의 특성을 알아본다.
2. 실 험 배 경
현대사회의 Technology에서 반도체는 가장 중요한 부분이다. Memory, Display 등에 이용되며, 이는 모든 전자기기에 쓰이기 때문이다.