산화를 이용한 Ethylene Oxide 제조 공정
1.1. 공정개념도
1.1.1. 공정개념도
ethylene glycol
그림 . EO 제조 공정개념도
1.1.2. 운전 조건
가. 온도 : 250 °C , 촉매 : 금속 은 , 압력 : 1-2 MPa
나.이론적 수율 = 6/7 (85.7%)
다. 산업적 조건에서의 수율 = 83~84%
위와 같은 부반응으로 온도가 높아
4. Dopant Barrier <불순물 장벽>
- 산화층이 실리콘 표면에서 성장하면 불순물 물질이 wafer로 들어가는 곳에 창을 생성시키기
위해서 Mask 개방으로 SiO2를 식각, 이때 산화물은 dopant의 확산으로부터
silicon의 표면을 보호.
- 선택적인 dopant의 도핑가능
5. 금속층 사이의 유전체
1. 실험목표
과망간산칼륨과 과산화수소의 산화-환원 반응을 이용해서 과산화수소의 순도를 결정한다.
2. 핵심개념
- 산화제 (Oxidizing agent)
산화제란 다른 물질을 산화시키는 능력을 가진 물질을 말한다. 산화제는 산소를 방출하기 쉬우며, 다른 물질에서 전자를 뺏기 쉬운 물질을 가리킨다. 산
oxidation>
- 지질(LCFA) 산화든 포도당 산화든 간에, 일단 TCA 회로를 공유한다.
- TCA 회로는 세포내 에너지가 풍부할 때 (즉 high energy state), 그리고 세포내 환원력이 높을 때 (즉 high redox state: NADH/NAD나 FADH2/FAD 비율이 높을 때) 가동이 억제되고, 반면 세포가 배고플 때는 가동이 촉진된다. 이
산화물)을 붙이는 방법은 여러 가지가 있지만, CNT 자체가 inert하므로, 방법 자체는 쉽지 않다. 기본적으로 CNT의 반응성을 높여주기 위해, CNT의 표면에 조작을 가하는 단계가 들어간다. Functional Group을 붙이거나, PolyElectrolyte를 붙이거나 하는 방법 등이 있다.
Polyelectrolytes를 붙임을 통해 Metal oxide Nanotube