스핀 방향에 따라 재생헤드의 자기저항이 달라짐을 이용하여 판독한다.
4000여년전 자철광이 그리스에서 처음 발견된 이후 자성체는 신이 인간에게 허락한 문명 이기의 중요한 물질로 인류문명 발전에 기여를 해오고 있다. 고려시대부터 항해의 필수품인 나침반으로 사용됐고 19세기 산업혁명시대에
자유도 외에 새로운 자유도를 가지는 것으로 생각해야 하며, 전자는 보통의 질점이 아니라 자신이 자전하여 각운동량을 가지는 것으로 해석한다. 이 자전이 곧 스핀이다.
원자내 모든 전자들의 공간적 분포와 스핀상태는 네가지 양자수(n,l,m,ms)에 의해 결정된다.
그림 5. 상(하)향 전자 스핀 모델
2. MRAM 기술
(1) 기본적인 구조 및 동작원리
MRAM(Magnetic RAM)은 플로피디스크나 하드 디스크와 같이 자기에 의해 데이터를 기억하는 메모리로서 스핀 의존 전기 전도에 의해 생기는 강자성 터널 자기저항 효과(Tunnel Magneto Resistance: TMR) 소자를 이용한 것이다.
TMR 소자는 그림 1과 같이 2개의 강자성층이 비
메모리
M-RAM, F-RAM(또는 Fe-RAM), P-RAM은 기존의 DRAM에서 Refresh 동작을 없애고, 비휘발성을 실현하기 위해서 Capacitor에 다른 개념을 적용한 것이다. 먼저 M-RAM(자기메모리)의 경우에는 자기(Magnetic)의 성질이 Spin Up, Spin Down 두 가지의 물리특성을 가진 것을 사용하는 것이다. 이러한 개념은 하드디스크에도 동
자성체의 정의
자성은 물질이 띠고 있는 자기적 성질을 의미한다. 자석을 접근시켰을 때 물질이 나타내는 서로 다른 성질에 따라 강자성, 상자성, 반자성 등으로 나뉜다. 강자성체는 자신도 자기극을 가지고 자석이 되어 서로 힘을 미치는데, 자석이 미치는 힘의 반대 방향으로 약한 자화가 생기는 것