2. MRAM기술
(1) 기본적인 구조 및 동작원리
MRAM(Magnetic RAM)은 플로피디스크나 하드 디스크와 같이 자기에 의해 데이터를 기억하는 메모리로서 스핀 의존 전기 전도에 의해 생기는 강자성 터널 자기저항 효과(Tunnel Magneto Resistance: TMR) 소자를 이용한 것이다.
TMR 소자는 그림 1과 같이 2개의 강자성층이 비
반도체메모리의 동작 특성에 대한 대표적 모델은 시카고 대학의 M. H. Cohen, Energy Conversion Devices사의 R. G. Neale, 퀸스컬리지의 A. Paskin 세 사람의 성 첫 글자를 딴 CNP 모델이다. 아래 그림은 SET 과정을 나타내는 그림이다. 비정질 상태의 소자에 전압을 인가하면 conducting filament 영역 형성과 함께 저 전도도
메모리의 비휘발성, SRAM의 고속 동작을 결합하려는 시도들이 이루어지고 있다. 현재 비휘발성 차세대메모리로 유력하게 대두되고 있는 소자는 PRAM(Phase Change RAM), NFGM(Nano Floating Gate Memory), ReRAM(Resistance RAM), PoRAM(Poly mer RAM) 등이 있으며, 그 이외에도 MRAM, FeRAM, 스핀트로닉스 소자등도 많은 연구가 진행
메모리 시장규모도 크게 성장하게 되었다. 앞으로도 기존 휴대형 디지털 기기의 수요 확산과 함께 여러 기능이 융합된 새로운 복합 디지털 기기의 등장으로 향후 몇 년간 메모리 시장은 꾸준히 성장할 것으로 예상된다.
2. 메모리 시장의 성장 배경
지난 수년간 IT 시장 및 기술의 발전은 완전히 새
적고, 가격이 낮으며 집적도가 매우 높아 대용량 기억장치에 많이 사용된다.
고집적회로의 기술진보로 디램은 대략 3년마다 4배 정도의 집적도가 높아지고 있어, 1986년에는 1MB 디램이 실용화되더니 12년이 지난 1998년에는 64MB가 주류를 이루고, 1999년 현재에는 256MB 디램도 실용화되기 시작하고 있다.