2. MRAM 기술
(1) 기본적인 구조 및 동작원리
MRAM(Magnetic RAM)은 플로피디스크나 하드 디스크와 같이 자기에 의해 데이터를 기억하는 메모리로서 스핀 의존 전기 전도에 의해 생기는 강자성 터널 자기저항 효과(Tunnel Magneto Resistance: TMR) 소자를 이용한 것이다.
TMR 소자는 그림 1과 같이 2개의 강자성층이 비
메모리의 비휘발성, SRAM의 고속 동작을 결합하려는 시도들이 이루어지고 있다. 현재 비휘발성 차세대메모리로 유력하게 대두되고 있는 소자는 PRAM(Phase Change RAM), NFGM(Nano Floating Gate Memory), ReRAM(Resistance RAM), PoRAM(Poly mer RAM) 등이 있으며, 그 이외에도 MRAM, FeRAM, 스핀트로닉스 소자등도 많은 연구가 진행
열적 동작 특성
전기적 동작 특성에서 설명한 과정에 따라 저 전도에서 고전도 영역으로 스위칭된 상변화 메모리 소자가 비정질 상태에서 결정질 상태 또는 그 반대로 변화 하는 것을 정밀하게 묘사하기 위해서는 heat equation에 의한 열 해석과 이때 수반되는 결정화 거동의 이해를 위한 Johnson-Meh
1. DRAM (Dynamic Random Acces Memory)
-동속호출 기억장치 또는 임의접근 기억장치라고도 한다. 컴퓨터의 기억장치로 많이 사용되는 메모리 반도체에는 랜덤 액세스 기억장치인 램(RAM)과 판독 전용 기억장치인 롬(ROM)이 있고, 램에는 일반적으로 동적 램인 디램과 정적 램인 에스램이 있다. 디램은 반도체 산업
열적 동작 특성
전기적 동작 특성에서 설명한 과정에 따라 저 전도에서 고전도 영역으로 스위칭된 상변화 메모리 소자가 비정질 상태에서 결정질 상태 또는 그 반대로 변화 하는 것을 정밀하게 묘사하기 위해서는 heat equation에 의한 열 해석과 이때 수반되는 결정화 거동의 이해를 위한 Johnson-Meh