동일하게 적용되고 있다. 즉, DRAM의 Capacitor에 전하를 채워주거나 빼는 동작 대신에 M-RAM의 Capacitor에 Spin을 Up 또는 Down으로 만들어 주는 동작을 하는 것이다. Spin의 방향은 외부 자계를 인가하지 않는 한 변하지 않으므로 비휘발성 메모리이다.
Fe-RAM(강유전체메모리)는 기존의 DRAM과 가장 유사한
1. DRAM (Dynamic Random Acces Memory)
-동속호출 기억장치 또는 임의접근 기억장치라고도 한다. 컴퓨터의 기억장치로 많이 사용되는 메모리 반도체에는 랜덤 액세스 기억장치인 램(RAM)과 판독 전용 기억장치인 롬(ROM)이 있고, 램에는 일반적으로 동적 램인 디램과 정적 램인 에스램이 있다. 디램은 반도체 산업
Ⅰ. 정보저장의 원리
1. DRAM (Dynamic Random Access Memory)
DRAM(Dynamic Random Access Memory)은 가장 일반적인 종류의 램이다. Dynamic은 메모리칩이 데이터를 기억하기 위해서 일정한 시간 안에 매 비트를 리프래시 하는 것을 말하며, Random Access는 메모리칩의 모든 셀은 일정한 순서 없이 읽기/쓰기를 행한다는 것을
결정이다. 4분자의 물로써 결정화한다. 비중 1.767, 녹는점 70∼80℃이다. 130∼140℃에서 무수염이 되고, 220℃에서 분해하기 시작한다. 물에는 잘 녹고, 에탄올에는 약간 녹는다. 타르타르산칼륨 KHC4H4O6을 탄산나트륨 또는 수산화나트륨으로 중화시키거나, 타르타르산에 같은 당량의 수산화칼륨 및 수산화
결정체와 같은 이방성을 나타내는 특이상태의 것으로 일정 온도범위에서 액정이 되는 서모트로픽 액정(Thermotropic Liquid Crystal)이라 불리는 유기 화합물이다.
그러나 제품으로 응용은 발명되고 얼마나 지나지 않은 1934년 영국인 쇤베르크가 CRT(Cathode Ray Tube)를 이용하여 진공관 TV를 발명한 것과는 달리 ,LC