band of the two semiconductors determines a charge transfer,
creating a triangular potential.
3. Polarization
- AlGaN/GaNHEMTs transistor don’t need doping to obtain a high electron density.
4. Contacts
- Source / Drain : Ohmic contact, Carrier could move free Metal ↔ Semiconductor.
- Gate : Schottky contact, controlledtransistor to turn on / off.
5. Summary
ElectronTransistor),를 개발하고 quantum mechanics의 전자구조효과를 적용하였다.
③ 1979, Dr.Mimira가 Bell 실험소의 Dr.Dingle에게 단서를 얻어 HEMT를 발명했다는 소문으로 인해 노벨상을 받지 못하였다.
④ 1980, 서독의 Dr.Klitzing가 프랑스의 Grenoble 연구 센터에서 낮은 온도와 높은 전자장이 노출된 환경에서 MOSFET의
Ι. 서 론
우리나라의 반도체 산업은 1983년 메모리공정 사업에 국내기업이 본격적으로 참여하면서 급속한 발전을 이룩해왔다. 짧은 기간에도 불구하고 현재 우리나라는 미국, 일본에 이어 세계 제3위의 반도체 생산대국으로 성장했으며, 특히 DRAM분야를 축으로 하는 반도체 메모리분야에서는 공급
LED 기술 발전에 기여해야 할 것이다.
1.2 LED의 구동원리
LED는 기본적으로 p형과 n형 반도체의 접합으로 이루어져 있으며, 전압을 가
하면 전자와 정공의 결합으로 반도체의 밴드갭 (band gap)에 해당하는 에너지를
빛의 형태로 방출하는 일종의 광전자 소자 (optoelectronic device)이다. 아래 그
림 1. 에