또 다른 접근이다.
우선 특별한 JEFT에 대해 VGS와 ID 사이의 관계를 보여주는 전달 컨덕턴스 곡선은 포화전류와 핀치오프 전압, 쇼클리 방정식
으로 구성되어진다. 바이어스 곡선은 JEFT에 연결된 외부회로 요소에 구성되어진다. 동작점은 두 곡선이 교차점에 의해 결정된다.
4. 실험순서
게이트 전압이 인가되어 있어 표면이 완전히 n형으로 반전되어 있는 경우 드레인 전류() - 드레인 전압()의 관계에 대해서 설명한다.
낮은 에 대해서 소스 ․ 드레인 간의 채널 영역은 저항체와 같이 - 특성은 직선 관계를 나타낸다. 가 증가하면 게이트와 n형 반전층 사이의 평균적인 전위차가 적게
실험에서 사용한 증착법은 전자빔 증착법이다.
전자빔 증착법은 박막을 증착시킬 때, 증착시키고자 하는 물질을 소결하거나 녹여 고체 상태로 제조하고 전자빔을 쏘아 휘발시켜 기판에 증착시키는 방법이다. 이 때, 증착시키려는 물질이 기체 상태로서 증착되는 것이기 때문에 진공상태의 분위기에
■ 실험 목적
Bipolar Junction Transistor(BJT)의 스위칭 특성을 공부한다. BJT를 이용하여 AND, OR, NOT 논리를 실현한다. BJT논리의 문제점을 고찰한다. BJT논리, DTL ,TTL 인버터의 전송 곡선을 측정한다.
■ 실험 부품 및 사용기기
2 NPN 트랜지스터, 2 PNP 트랜지스터, 1 오실로스코프, 1 브레드 보드, 1 5V 직류 전
■ 실험목적
Field Effect Transistor(FET)의 스위칭 특성을 공부한다. JFET, MOSFET 특성을 비교한다. n-채널 FET를 이용하여 AND, OR, NOR 논리를 실현한다. CMOS 논리를 실현하다. FET 논리,CMOS 인버터의 전송 곡선을 측정한다.
■ 실험 부품 및 사용기기
3 n-채널 MOSFET, 3 p-채널 MOSFET, 1 오실로스코프, 1 브레드 보드,