이번 실험에서는 Source와 Drain을 만들지 못하고 Si위에 와 Pt를 올려서 만들었고 그림은 다음과 같이 볼 수 있으나 원리는 MOSFET와 같다고 볼 수 있다.
1) 산화공정(Oxidation)
열 산화법은 산화층 내부와 SiO2/Si 계면에 결함을 거의 생성시키지 않는 방법으로서 우수한 특성의 절연막을 형성시킬 수 있는
1) 산화공정(Oxidation)
열 산화법은 산화층 내부와 SiO2/Si 계면에 결함을 거의 생성시키지 않는 방법으로서 우수한 특성의 절연막을 형성시킬 수 있는 기술이다. 이 기술은 산화 반응에 사용되는 기체의 종류에 따라 건식 산화(dry oxidation)법과 습식 산화(wet oxidation)법으로 구분되는데, 반응기체로 순수한
전자(p형에서는 소수 캐리어)를 모아 표면이 n형으로 반전하므로 n+n n+으로 되어 도전성을 갖는다. 전도형의 변화된 영역을 반전층(invertion layer)이라하고 도전성을 갖는 영역을 채널(channel, 이 경우는 n채널)이라 한다. n형 Si를 쓰면 p채널이 생긴다. 이 채널의 도전성은 게이트 전압을 바꾸면 변하므로, 이
미국의 반도체 강국 지위가 다소 불안한 점도 있다.
반도체 기업별 세계 매출순위를 살펴보면, 세계 2위 기업인 삼성전자는 2009년 2분기 반도체 매출이 2008년 2분기에 비해 18.5%나 하락하였다. 하이닉스도 2009년 2분기에 무려 27% 감소한 매출결과를 보였으나, 세계 8위의 지위를 나타내고 있다.
실리콘(SiO2)으로 모래, 암석, 광물 등의 형태로 존재한다. 이들은 지각의 1/3정도를 구성하고 있어 지구상에서 매우 풍부하게 존재하고 있으며, 따라서 반도체 산업에 매우 저가의 가격으로 안정적으로 공급될 수 있는 재료이다. 또한 물질에 독성이 전혀 없어 환경적으로 매우 우수한 재료이기도 하다.