PE CVD
PE CVD공정은 Plasma etching 이 사용되기 이전부터 반도체 금속배선의 보호막인 SiN과 SiO2를 저온에서 증착할 수 있는 새로운 생성원으로 소개
PE CVD기술은 SiO2와 SiN 박막 형성 뿐만 아니라 최근에는 천이금속이나 천이금속 실리사이드 형성에도 널리 사용
PE CVD의 박막 형성 mechanism
Plasma 에서 이
가두어 전류 누설을 막을 수 있다.
즉 집적도 향상을 위하여 하이케이 증착
저온공정이었던 플라즈마 CVD법에서 발생하던 결점(고 에너지이온에 의한 하부기관의 손상 등)을 보완
광 CVD법은 큰 면적의 경우 램프 광 CVD와 레이저 광 CVD로 분류되고 있다.
소스가스의 광분해를 보여주는 그림
CVD(Chamical Vapor Deposition)가 가장 널리 쓰이고 있다. CVD란 증착될 물질의 원자를 포함하고 있는 기체상태의 화합물을 이 기체가 반응을 일으킬 수 있는 환경을 갖는 반응실로 유입하여 화학적 반응에 의해 기판 표면 위에서 박막이나 에피층을 형성하는 것이다. 반응온도는 100 ~ 1200℃ 범위로 광범위하게
*Coating의 정의 및 목적
정의: 재료표면에 목적하는 성질을 지닌 물질을 입혀서 사용목적에 적합한 재료를 만드는 것
목 적: 모재의 단점을 보완 및 특성 향상 (피복 내마모성 인성 내산화성)
☞코팅공구란 초경합금을 모재로 하고 그위에 모재보다 경도가 높은 TiC, TiN, Al2O3등의 경질화합
1.MEMS 및 ICS에 사용되는 식각공정을 분류하고 이에 대하여 장단점과 특성을 아는바 대로 기술하시오
MEMS 식각공정은 건식식각공정이 대표적이다.
건식식각기술은 용액 속에서 식각을 하지 않고 기체상태에서 용액 없이 식각을 진행 하는 방법으로 가스 식각, 스퍼터링효과 식각, RIE 식각으로 분류