PECVD 공정변수
기판온도, 가스조성비, 가스유량, 압력, 입력파워, 고 주파수, 전극 간격
PECVD에 의한 박막특성
증착속도, 박막조성비, 밀도, 굴절률, 막 두께의 군일도, 응력, 표면 덮음 율(step coverage), etching속도 등
저온에서 CVD를 해야 하는 경우 PECVD를 쓴다
Al 위에 SiO2를 증착하는 경우
GaAs 위
증착법을 사용했으며, thermal evaporation은 이름 그대로 증착 할 금속 source를 전류를 흘려줄 판 위에 고정을 시켜놓고, 판에 전류를 흘려주면 저항에 의해서 열이 발생하게 되고, 이 열로 인해 금속이 증발을 하여 그 gas atom들이 위에 거꾸로 매달아놓은 시편 위로 증착을 하게 된다. 이 모든 과정은 PECVD와