1. 서론
지난 30년간 리소그래피 기술은 반도체 소자의 발전과 더불어 광 투사 리소그래피(Optical Projection Lithography) 기술을 중심으로 지속적인 발전을 거듭하였다. 그리하여 지금 193 nm의 광 투사 리소그래피를 이용하여 100 nm 이하의 선 폭을 형성할 수 있는 수준에 이르렀다. 그러나 반도체 기술은 앞으
1.Photolithography
리소그래피는 포토레지스트를 도포하는 공정으로 시작해 노광, 현상, 에칭, 포토레지스트 제거에 이르는 일련의 프로세스이다. 현상까지를 레지스트 처리공정으로 하며, 에칭 공정과 분리해서 생각할 수도 있다. 현재, 패턴 노광은 레티클이라 불리는 마스크 기판에 의해 축소 투영 전
248nm 파장의 KrF 엑사이머 레이저 노광기술로 256메가빗(Mbit) DRAM 반도체의 대량생산이 이루어지고 있으며 1 기가빗(Gb) 메모리 반도체의 생산이 가능하게 되었다. 하지만 반도체 기술 분야에서 소자의 최소 선폭 크기(CD: critical dimension )는 Cordon Moore의 법칙에 따라 매 3년마다 30% 정도로 줄어들고 있다.
레이저광의 특성
1. Laser 광의 특성
-파장이 어김없이 정의되는 고도의 단색(mono-chromatic)성을 띠고 있다.
-위상이 고르고 안정되어 있어 간섭현상이 일나기 쉬운 성질을 갖고 있다.
-사실상 평행하다고 볼 수 있으므로 직진하는 고도의 방향성을 갖고 있다.
-정밀하게 집속(集束)시킬 수 있는 지광성
레이저빛에서는 한 가지 색깔만이 존재한다. 만약 두 가지를 프리즘으로 분산시켜 보면 그 차이를 알 수 있다.
둘째 백열전구에서 나오는 빛은 전구에서 멀어지면 빛의 세기가 급격히 줄어들지만 레이저 빛은 거리가 아무리 멀더라도 빛의 세기가 거의 줄어들지 않는다. 이를 레이저 빛은 지향성( direct