기술의 중심이며, 반도체 공장에서도 가장 많은 금액의 투자를 필요로 하는 장치이다. 패턴 형성 후에는 반드시 에칭 공정이 수반되며 현성된 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 처리할 수 있다.
1.2.Phothlithography 과정
(1)clean wafers
세정은 리소그래피를 처음으로 하는 각 공정 사이에서 반드시 행
기술이 대두될 것으로 예상된다. 이러한 선 폭 미세화와 웨이퍼 대형화는 현재 사용되고 있는 광 투사 리소그래피 관련 기술의 가격을 상승시키는 중요한 추세로써 미래 기술 발전에서 가장 먼저 해결해야 할 문제로 지적되고 있다. 또한 최근 급 부상하고 있는 나노기술과 바이오 기술 등은 새로운 형
1. 서론
나노기술이란 ‘나노미터 크기의 물질들이 갖는 독특한 성질과 현상을 찾아내고 이러한 성질을 갖는 나노물질을 정렬시키고 조합하여 매우 유용한 성질의 소재, 디바이스 그리고 시스템을 생산하는 과학과 기술’을 말한다. Nano imprint lithography(이하 NIL)는 이러한 나노기술을 이용하여 초미
나노 사이즈의 패턴을 전사하는 방법으로 기존의 Deep UV, EUV, X-ray를 사용한 방법보다 비용이 저렴하며 대량 생산이 가능하다는 장점이 있다.
2. 본론
⑴ Nano Imprint Lithography (NIL) 의 기본 원리
나노 임프린트 리소그래피는 초미세 가공인 나노 가공을 실현하기 위해 제안된 기술이다. 기존 반
나노 패턴을 만드는 방법을 개발하였는데 이것이 Dip-pen Nanolithography(DPN)기술이다.
2. Dip-pen lithography의 원리
앞서 기술한 AFM(atomic force microscope)은 대기 중에서 측정할 때 tip과 표면 사이에 아주 작은 모세관이 형성된다. 이는 실제 표면을 분석하는데 어려움을 주고 있다. 하지만 이를 이용하여 기판