경우는 H2SO4, HCI, NH4OH, HF, H2O2 등의 약액 조합에 의해 처리된다. 웨이퍼 세척과 반도체 공정에 전반적으로 사용되는 중요한 화합물이 Di water이다. Di water는 이온, 입자, 박테리아 같은 오염물질을 제거한 매우 순수한 물이다. 이론적으로 순수한 물의 저항은 25℃에서 18.3 Mohm-cm이다. 일반적인 Di water 시스템
리소그라피(Optical lithography)는 지난 20세기 말경에 크게 발전하여 대용량 반도체(VLSI)의 미세회로가공에 적용되는 중요한 핵심기술로 발전하였다. Optical-lithography 1980년대 초에 고압 수은등을 이용한 G-선(436nm 파장) 자외선의 축소투영 노광장치(projection stepper)의 도입으로 시작되어 1 마이크론 해상도 수
마스크가 이용된다는 것이다. 이렇게 함으로써 마스크 패턴의 결손이나 미스, 파티클 등이 웨이퍼에 전사되는 위험이 경감된다.
스테퍼는 고도의 조명계, 광학계와 정밀구동 메커니즘과의 융합체이며, 광학기기 메이커의 오랜 기술력 집적에 의해 가능해진 장치이다. 디바이스 메이커가 장치 메이커
PR의 일정 부분이 노광 되었을때 노광된 부분의 PR의 Polymer 사슬이 끊어지거나 혹은 더 강하게 결합하게 된다는 것이다. 보통 반도체 공정에서는 기판(웨이퍼)표면에 PR을 도포한 후에 그 위에 회로 패턴이 새겨져 있는 마스크를 접촉시키고 파장을 쏘이는 것이다. 그렇게 되면 마스크의 패턴에 따라 파장
방법은 실현 불가능.
PR (Photoresist) : 빛 또는 방사, 열 등의 여러 형태의 에너지에 노출 되었을 때 내부구조가 바뀌는 특성을 가진 액상 혼합물
양성 PR : 빛을 받으면 원래 다중체화 되어 있던 분자간의 체인이 끊어져 되는 PR
음성 PR : 빛을 받으면 분자간에 체인이 형성되어 고분자화 되는 PR