✶ 광 CVD :
광 CVD는 박막을 형성시킬 때 열에너지뿐만 아니라 광 에너지에 의한 광화학반응을 이용하는 방법으로 막 형성 온도를 큰 폭으로 저하시킬 수 있으면 또 광 에너지 자체가 반응가스를 분해시킬 수는 있으나 이온을 발생시킬 만큼 크지 않으므로 본질적으로 이온이 존재하지 않는 공정으
What is High-k ?
고유전율의 재료로써
반도체의 Gate나 Capacitor를 만들 때 사용하는 신소재
Ex) HfO2, ZrO2
High-κ물질은 말 그대로 고 유전율을 가지고 있는 물질이므로 SiO2보다 높은 비율로 집적 시켜도 Tunneling 현상이 일어나지 않아 선택하게 되었다.
반도체 회로의 미세화에 따라 크로스토크(Cross Talk)와
High-K material의 필요성
Thin SiO2의 문제점
게이트 유전막을 통한 boron penetration
20Å 미만의 두께에서
leakage current 발생
poly-si depletion effect
해결
SiO2에 비해 큰 유전상수
물리적 두께 증가
전자의 터널링 억제
Motivation
High Density
- More transistors onto a smaller chip
- Cost effective from
From an electrical standpoint, the MOS structure is equivalent to a parallel plate capacitor. When a voltage is applied between the gate and source terminals, the resulting electric field penetrates through the oxide, creating a so-called "inversion channel" within the channel underneath. The inversion channel is of the same type — P-type or N-type — as the source and drain of the tra
3. 지원 분야와 관련하여 특정 영역의 전문성을 키우기 위해 꾸준히 노력한 경험에 대해 서술해 주십시오 (전문성의 구체적 영역(예, 통계분석)/ 전문성을 높이기 위한 학습 과정/ 전문성 획득을 위해 투입한 시간 및 방법/ 습득한 지식 및 기술을 적용해 본 사례/ 전문성을 객관적으로 확인한 경험/ 전문