4. Equipment
4.1 RCA cleaning
RCA cleaning is a series of rinsing procedure prior to experiment with Si wafer. The purpose of the RCA clean is to remove organic contaminants (such as dust particles, grease or silica gel) from the wafer surface. There are three steps to be performed. The first step is to remove organic contaminant from surface of wafer. Second step is to remove any oxide layer
dielectric constant) 또는 유전상수인데, 보통 ε을 단순히 유전율이라고 한다. 특수한 유전체인 강유전체(결정에 한한다)에서 D와 E의 관계는 이력곡선(履歷曲線)으로 표시되는 복잡한 것이므로 유전율 ε은 εε0=dD/dE(d는 미분기호)의 미분계수로 정의된다. 또한 이 미분은 이력곡선상의 어느 위치에서 실시되
Problem 1 (20pt) Draw both polar plot and bode plot of the following transfer function:
G(s) = 1
s(s + 1) (1)
Solution of Problem 1 (20pt)
1. (5pt) Consider
G(jω) = 1
jω(jω + 1) (2)
2. (5pt) The magnitude and phase are obtained for ω ≥ 0 as follow:
|G(jω)| =
1
ω
√
1 + ω2
→ |G(jω)|dB = −20 log10 ω − 20 log10
p
1 + ω2 (3)
∠G(jω) = −90◦ W
dielectric) 물질이므로 평행판축전기(두 개의 도체판으로 구성된 축전기)의 두 금속 전극 중에서 하나를 반도체로 대체한 것과 같은 구조이다.
(2) P-type MOS
P-type MOS란, 전하를 옮기는 캐리어로 정공(양의 전하를 가진 전자와 같은 거동을 하는 가상 입자, Hole)이 사용되는 MOS이다. 양의 전하를 가지는 정
Q/V
SI unit of capacitance is the farad; 1 farad is 1 coulomb per volt. Capacitance can be calculated if the geometry of the conductors and the dielectric properties of the insulator between the conductors are known. For example, the capacitance of a parallel-plate capacitor constructed of two parallel plates both of area A separated by a distance d is approximately equal to the following: