4. Equipment
4.1 RCA cleaning
RCA cleaning is a series of rinsing procedure prior to experiment with Si wafer. The purpose of the RCA clean is to remove organic contaminants (such as dust particles, grease or silica gel) from the wafer surface. There are three steps to be performed. The first step is to remove organic contaminant from surface of wafer. Second step is to remove any oxide layer
MOS의 특성을 파악한다. 본 실험에서는 Oxide의 두께에 따른 C-V, I-V 특성을 평가한다.
2. 이론 배경 지식
2.1. MOS의 이해
2.1.1. MOSCapacitor의 구조
그림 1. MOScapacitor의 구조
MOScapacitor는 metal, oxide, semiconductor로 구성된 capacitor이다. 이것은 일반적인 capacitor의 한쪽 도체 판을 반도체인 p-type 또는 n-t
01 실험 목적
MOSCapacitor를 직접 제작해보고 공정을 이해
유전층의 종류(Al2O3, SIO2)에 따른 MOSCapacitor의 전기적 특성 분석
(중략)
04 결론
1. SiO2와 Al2O3의 Cmax 측정값과 예상값의 차이
-E-beam Evaporation 의 좋지 않은 박막 균일도
-실험상의 오류
2. 순방향과 역방향 Bias 에서의 C-V 커브 차이
-h
Oxide층, 공정과정의 종류를 변수로 놓고, 각 device별로 C-V와 I-V를 측정하여 각각의 변수가 Capacitance와 Current에 어떤 영향을 미치는지에 대하여 분석해 본다.
2. 실험이론
① MOSCapacitor
(a) MOSCapacitor의 구조
MOScapacitor의 구조
MOS는 Metal-Oxide-Semiconductor의 약자로, 금속 층과 반도체 물질로 되어 있는
C-Vcharacteristics on an P-type, N-type Si
2.4 Graph shifting
In MOS structure, we should consider non ideal effects when measure the capacitance according to applied voltage. They are 'fixed charge', 'mobile charge', and 'surface states'. When the fixed charge exists in oxide layer, it causes entire curve of graph to shift to the [Figure 12] C-V graph shift by direction of bias
side. Th