반도체 건식세정 기술

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소개글
반도체 건식세정 기술에 대한 자료입니다.
목차
1.반도체 wafer 제조 공정
2.반도체 세정 기술
3.반도체 건식 세정 기술
4.결론
본문내용
Particles: environment, equipments, operation, chemicals, water
Metallic: equipments, human (Na), chemicals, process (RIE, ion implantation, metallization)
Organic: container, human, cosmetics,PR, Chemicals, ambient organic vapor


습식세정

단점

독성이 매우 강한 용액을 사용하여 위험
진공 장비들과 연계하여 연속적인 공정 수행 힘듦
반도체 소자 내의 small geometry에 대해서는 미약한 세정 효과

SCROD 세정

SCROD(Single-Wafer Spin Cleaning with Repetitive Use of Ozonated Water and Dilute HF) 라 불리는 세정 방법이 연구되고 있다 이 세정법은 5~10초동안 선택적으로 웨이퍼에 오존수와 희석불산용액을 분산하는 방법으로 여러 차례 반복하여 웨이퍼로부터 효과적으로 파티클 금속불순물 그리고 유기오염물을 제거하게 된다 RCA세정과 비교해 세정용액의 사용을 줄일 뿐만 아니라 DI water 의 사용 또한 줄이게 되 어 비용과 환경적인 부담을 줄일수 있게 되었다.


참고문헌
기계와 재료 2002년 12권 3호 반도체 세정기술 현황
Semiconductor Japan Net
Clean Technology Journal 2004년 10월호, 11월호
전자재료 2004년 8월호, 9월호
Electronic Journal 2004년 8월호, 9월호
Handbook of semiconductor wafer cleaning technology (Werner Kern, ed.),Noyes Publications, Park Ridge,NJ,1993
L.Pauling,The Nature of Chemical Bond,3rd ed. ,Cornell University Press,Ithaca,1960.
T.Ohmi,"Megasonic Exited Ozonized Water for Cleaning of Silicon Surfaces", J.Electrochem.Soc.,Vol.144, 1997