![[반도체 공정]X-선 광전자 분광법(XPS)-1](http://images.happyhaksul.com/thumb/468/467301-0001.gif)
![[반도체 공정]X-선 광전자 분광법(XPS)-2](http://images.happyhaksul.com/thumb/468/467301-0002.gif)
![[반도체 공정]X-선 광전자 분광법(XPS)-3](http://images.happyhaksul.com/thumb/468/467301-0003.gif)
![[반도체 공정]X-선 광전자 분광법(XPS)-4](http://images.happyhaksul.com/thumb/468/467301-0004.gif)
![[반도체 공정]X-선 광전자 분광법(XPS)-5](http://images.happyhaksul.com/thumb/468/467301-0005.gif)
![[반도체 공정]X-선 광전자 분광법(XPS)-6](http://images.happyhaksul.com/thumb/468/467301-0006.gif)
![[반도체 공정]X-선 광전자 분광법(XPS)-7](http://images.happyhaksul.com/thumb/468/467301-0007.gif)
![[반도체 공정]X-선 광전자 분광법(XPS)-8](http://images.happyhaksul.com/thumb/468/467301-0008.gif)
![[반도체 공정]X-선 광전자 분광법(XPS)-9](http://images.happyhaksul.com/thumb/468/467301-0009.gif)
![[반도체 공정]X-선 광전자 분광법(XPS)-10](http://images.happyhaksul.com/thumb/468/467301-0010.gif)
![[반도체 공정]X-선 광전자 분광법(XPS)-11](http://images.happyhaksul.com/thumb/468/467301-0011.gif)
![[반도체 공정]X-선 광전자 분광법(XPS)-12](http://images.happyhaksul.com/thumb/468/467301-0012.gif)
![[반도체 공정]X-선 광전자 분광법(XPS)-13](http://images.happyhaksul.com/thumb/468/467301-0013.gif)
![[반도체 공정]X-선 광전자 분광법(XPS)-14](http://images.happyhaksul.com/thumb/468/467301-0014.gif)
분야
ppt2.광전효과의 원리
3.XPS의 구성
4.초고진공의 필요성
5.응 용
정량분석 : 시편의 표면에서 나오는 광전자 피크의 면적이나 높이를 이용하여 구성 원소의 조성비나, 원소를 정량할 수 있다.
상태분석 : 원자의 화학결합상태가 다르면 결합에너지의 값은 보통 수 eV가 변화하므로 이 변화된 값 (chemical shift)에서 화학결합상태와 원자가 전자의 상태를 확인할 수 있다.
수직분포분석
- 시료 표면에 에너지가 큰 불활성 기체로부터 발생시킨 양이온을 충돌시킴으로써 표면을 분당 수 Å씩 깍아 내면서 수천 Å까지의 깊이에 따른 조성변화와 화학적 상태 변화를 분석하는 방법이다.
- 다층 구조로 된 박막이나 계면의 연구에 필수적인 방법으로 coating과 박막의 두께, 부동태의 피막, 세라믹스, 반도체 분야의 연구에 사용된다.
준비실 : 도입실 / 측정실
도입실 : 표준물질의 증착, 오염된 고체 표면의 컷팅, 깊이 방향과 조성변화를 조사하기 위한 이온에칭, 온도변화에 대한 메커니즘 규명을 위한 온도제어, 가스처리 등이 행하여 진다.
측정실 : 시료를 여기시키는 전원, 시료로 부터 방출되는 광전자 에너지를 분별하는 에너지 분석기, 전자 검출기 등으로 되어 있다.
