Cu film의 전기적 특성 분석 실험
분야
hwp전자제품(반도체, display)에 전기배선 재료로 사용되는 Al이 있다. 하지만 최근의 경향이 고집적화, 대면적화로 진행됨에 따라서 대체 재료로 Cu이 각광을 받고 여러 방면에서 연구를 진행하고 있다.
Cu bulk의 비저항은 1.67μΩ-cm로서 Al bulk(2.7μΩ-cm)에 비해 매우 낮다. 이러한 특성으로 인하여 RC delay로 인한 신호의 지연으로 응답속도의 차이를 극복하는데 이용할 수 있는 좋은 재료이다.
하지만 이러한 Cu 박막의 전기적 특성에 영향을 미치는 인자들에 대한 실험을 진행하고자 한다.
2. 실험방법
SiO2를 1Cm×1Cm 크기로 자른다.
클리닝한다(아세톤에 담그고 아세톤에 녹은 물질을
날리기 위해 알코올로 세척 후 DI water로 헹군
다. 마지막으로 질소가스로 물을 제거한다)
(1998), 김현구, 대웅
