I. 문제 내용
(컴퓨터의이해 1학년)
1. 다음 문제에 대하여 주요 내용을 ①, ②, ③, ④ 번호를 붙여서 4가지 이상 설명하고 관련된 그림이나 사진을 설명문 본문에 한 장씩만 덧붙인다(1번 과제 그림 총 3장). 단, 1번 과제 전체분량은 A4 용지 1페이지 이상 3페이지 이내이다. (15점)
(가) 슈퍼컴퓨터에 대
I. 과제 개요
1. 다음 문제에 대하여 주요 내용을 ①, ②, ③, ④ 번호를 붙여서 4가지 이상 설명하고 관련된 그림이나 사진을 설명문 본문에 한 장씩만 덧붙인다(1번 과제 그림 총 3장). 단, 1번 과제 전체분량은 A4 용지 1페이지 이상 3페이지 이내이다. (15점)
(가) 슈퍼컴퓨터에 대하여 설명하라.
(나) 메
전자는 공간·시간의 자유도 외에 새로운 자유도를 가지는 것으로 생각해야 하며, 전자는 보통의 질점이 아니라 자신이 자전하여 각운동량을 가지는 것으로 해석한다. 이 자전이 곧 스핀이다.
원자내 모든 전자들의 공간적 분포와 스핀상태는 네가지 양자수(n,l,m,ms)에 의해 결정된다.
그림 5. 상(하)
1. 다음 각각의 문제에 대하여 주요 내용을 ①, ②, ③, ④ 번호를 붙여서 4가지 이상 설명하고 관련된 그림이나 사진을 설명문 본문에 한 장씩만 덧붙인다(1번 과제 총 3장). 단, 1번 과제 전체분량은 A4 용지 2페이지 이내이다. (15점)
1) 정보사회와 4차 산업혁명에 대하여 설명하라.
(1) 정보사회
앨빈
1. 다음 문제에 대하여 주요 내용을 ①, ②, ③, ④ 번호를 붙여서 4가지 이상 설명하고 관련된 그림이나 사진을 설명문 본문에 한 장씩만 덧붙인다(1번 과제 그림 총 3장). 단, 1번 과제 전체분량은 A4 용지 1페이지 이상 3페이지 이내이다. (15점)
(가) 슈퍼컴퓨터에 대하여 설명하라.
① 1 세대 슈퍼컴
2. MRAM 기술
(1) 기본적인 구조 및 동작원리
MRAM(Magnetic RAM)은 플로피디스크나 하드 디스크와 같이 자기에 의해 데이터를 기억하는 메모리로서 스핀 의존 전기 전도에 의해 생기는 강자성 터널 자기저항 효과(Tunnel Magneto Resistance: TMR) 소자를 이용한 것이다.
TMR 소자는 그림 1과 같이 2개의 강자성층이 비
1. DRAM (Dynamic Random Acces Memory)
-동속호출 기억장치 또는 임의접근 기억장치라고도 한다. 컴퓨터의 기억장치로 많이 사용되는 메모리 반도체에는 랜덤 액세스 기억장치인 램(RAM)과 판독 전용 기억장치인 롬(ROM)이 있고, 램에는 일반적으로 동적 램인 디램과 정적 램인 에스램이 있다. 디램은 반도체 산업
자동화되어 서비스된다. 올 10월 현재 총72개 단위업 무 가운데 95% 가량이 자동화됐다. 이에 따라 무역업무 자동화시스템을 통해 매일 10만건 이상의 문서가 처리되고 있다. 이 장에서는 전자무역론3공통 1. 무역자동화에 대하여 설명하시오 (15점) 2. 전자무역의 발전 방향에 대하여 기술하기로 하자.
1. "LG전자"에 대한 지원 동기에 대하여 구체적으로 기술하여 주십시오.
[새로운 도전과 창의적 문제 해결]
LG전자에서는 이러한 능력과 열정을 발휘할 수 있는 기회를 제공받을 것으로 확신하며, 그 과정에서 회사와 함께 성장하고 발전하는 모습을 상상하며 지원하게 되었습니다. 저는 LG전자가 기술
LG전자 기능직 자기소개서 LG전자 생산직 자소서
1. "LG 전자"에 대한 지원동기, 근무희망 분야 및 그 이유에 대하여 구체적으로 기술하여 주십시오.
LG전자의 H&A 생산 분야에서 근무하고 싶습니다. 제가 가진 생산 분야 강점 중 하나는 타인과 소통하고 협력할 수 있는 능력입니다. 이를 바탕으로, LG전