1. 실험 목적
저항, 이끎개, 축전기의 직류, 교류에서의 특성을 조사하고, 이들을 섞어 사용한 회로를 통해 이들 소자들의 사용 목적을 이해한다.
2. 배경 이론
이상적인 저항(R), 이끎개(L), 축전기(C) 흐름길을 가정하고 생각한다.
먼저 RC 직렬 연결 흐름길을 살펴보자.
RC 직렬 연결 흐름길에 직
□ 고찰
우리가 실험하는 것은 투과형 광센서로써 빛을 내보내는 투광부와 빛을 받아들이는 수광부 사이로 물체가 지나갈 때 빛의 차단 유무로 인해 물체를 감지하는 것입니다. 우리가 실험하는 시편은 5개의 아크릴을 사용했습니다. 실험 결과를 보시면 청색, 적색, 투명, 백색아크릴은 감지를 못
Title
1. 실험제목 : Operational Amplifier Basic
2. 실험목적
o 연산증폭기 (Operational Amplifier) 동작원리를 이해하고 그 특성을 측정한다.
Results & Simulation
<실험 1> OP-AMPLIFIER 기본 특성 실험
A. 입력 offset 실험
1) 위의 그림 1 의 실험회로를 구성하고 OP-AMP 의
Ⅰ. 임피던스와 등가회로
1. 특성 계산상의 가정
(1) 발전기 회로정수 중 여자리액턴스는 포화의 영향을 받으며, 회전속도는 가변 한다.
(2) 고정자 및 회전자의 누설리액턴스는 같다.
(3) 철손 저항은 무시한다.
(4) 공간 고조파 영향은 무시하고 전압, 전류 파형은 정현파로 가정 한다.
2. 등가 회
서 ③.
Si wafer에 Thermal&E-beam Evaporator를 이용해 SiO2를 증착시킨다. 이 때 E-beam을 이용하게 되고 PVD(Physical Vapor Deposition)증착법을 사용하기 때문에 내부는 진공상태를 유지한 채 증착을 시킨다. Thermal&E-beam Evaporator에는 E-beam과 Thermal 방법이 있는데 고융점 재료에 E-beam을 이용하게 된다.
★진공을 뽑아 주
1. 실험 목표
MOS를 직접 제작하고 공정을 이해하고, Dielectric 재료와 두께에 따른 MOS 특성 및 구동원리를 이해한다.
2. 이론적 배경
그림 1에 나타낸 바와 같이 p형 실리콘(Si) 표면에 2개소에 n+층을 형성하고, 그 위에 음성 전극을 붙여 한편의 전극을 소스(source), 다른 편을 드레인(drain)이라 한다.
V_m(1-e^(-1))=V_m×0.63 Rising time of a first-order filter
V_m(1-e^(-2))=V_m×0.63+(0.37V_m×0.63)
B. frequency response of first-order filters
Frequency Response of a RC Circuit
1) Find the following transfer functions
Transfer function(전달함수, G): 제어이론에서 전달함수는 모든 초기조건이 0이라는 가정하에서, 출력함수의 Laplace변환
제 1 장 서 론
2010년 10월 5일 밤, 노벨 물리학상 수상자로 그래핀(Graphene)을 연구한 외국 학자
2명의 이름이 발표되었다. 영광을 거머쥔 그들은 네덜란드 국적의 안드레 가임 맨체
스터대 교수(51)와 러시아 출신의 영국 과학자 콘스탄틴 노보셀로프 맨체스터대 교수
(36)이다. 바로 꿈의 나노 신소재로
1.2. 재료가 사용된 이유
투명 전도막(TCO : Transparent Conductive Oxide)이란, 가시광 영역에서 광 투과율이 우수해야 하고, 높은 전기전도도와 적절한 에칭 특성을 지녀야 한다. ITO는 가시광선 영역 (400nm ~ 700nm)에서 80%정도의 투과도를 가지며 optical band gap이 3.55eV를 가짐으로 인하여 가시광선 영역에서 높은