(Up) Schematic diagram of apparatus used for RIE in semiconductor processing.
(Right) RIE system from Eidgenossische Technishe Hochschule Suiss Federal Institute of Technology
(http://www.ifm.ethz.ch/mems/eq_rie.htm
Wafer가 놓이는 전극에
RF전압을 인가하고, 공정압력을
낮게 유지하여 Plasma 중의 양이온이
Plasma sheath를 통해 가속되게
함으로써
Ion Implantation
Ionized dopant atoms are physically forced into the silicon crystal by accelerating them through high potentials (3 kV- 3 MV) toward the silicon wafer.
– Mass separator allows each implanter to run multiple
processes (B, P, BF2, As...)
– Low temperature (room temperature ~200 °C)
• can use photoresist as a mask
– Needs to be followed by an anneal
Advantage
① 낮은 성장률을 가지면서 높은 질의 epilayer을 생성
② 다양한 dopant 성분을 흡착이 가능하고, 복잡한 구조를
가진 다양한 layer를 생성
Disadvantage
① 고진공으로 인한 작동비용이 높음
② source material 교체로 인한 chamber 내부의 오염
③ As와 P이 포함되어 있는 alloy의 성장 제한
Stable at high temperatures
in inert atmospheres
Surface oxidation occurs
Wurtzite structure
- Applications
LED
Military applications
Surface acoustic wave sensors
Properties AlN
Molar Mass 40.9882g/mol
Appearance White to pale-yellow solid
Band gap 6.2 eV
Density 3.260g/cm3
Melting Point 2200°C
Boiling Point 2517°C
Solubility in water Decomposes
Thermal Conductivi
분자의 개념,흡열반응,활성화에너지,산화환원반응,전자친화도,이온화에너지,노르말농도,헨리의 법칙,이온결합,화학결합,콜로이드, 전하,아보가드로의 법칙,솔베이법,세라믹스,섬유강화플라스틱,샤를의 법칙,사면체결합,뷰렛반응,불확정성원리,불가역반응,볼타전지,보일-샤를의 법칙,배수비례의 법
☆ 강도의 단위 : kg․중/mm2
☆ 대표적인 재료의 항복강도 순철 : 10kg․중/mm2
순알루미늄 : 5kg․중/mm2
강철 : 10~300kg․중/mm2
알루미나 합금 : 10~50kg․중/mm2
1012m
Tera meter
1Tm
109m
Giga meter
1Gm
106m
Mega meter
1Mm
103m
Kilo meter
1Km
1m
meter
1m
10-3m
milli meter
1㎜
10-6m
micro meter
1㎛
10-9m
Motivation
Short running oil resource
Global warming &
Climate change
Raising alternative
renewable energy demand
Solar
Cells
Motivation
solution: solar cells, especially CIS/ CIGS solar cells
problem: short running oil resources and raising power demand
그림 1을 보면 알 수 있듯이 SrTiO3는 ABO3의 Perovskite 구조로써 단위결정의 각 모서리에 Sr 이온이 위치하고, 각 면심에 산소 이온, 중심에 Ti 이온이 있는 구조이다. Perovskite 구조를 갖는 금속산화물은 전기를 통하지 않는 절연체 성질로부터 반도체 성질 및 전기를 통하는 금속의 성질뿐만 아니라 초전도 현
1. 서론 (Introduction)
BaTiO3는 강유전성을 띠는 산화물로 알려져 있다. 온도가 1460℃ 이하일 때에는 육방정 (hexagonal) 구조를 취하다가 1460℃ 이상일 때에는 perovskite 구조로 상전이가 발생하게 된다. 그림에서 보듯이 perovskite 구조 내에서 BaTiO3는 여러 가지 다른 동질 이상 (polymorphism)을 갖는다.
온도 120