IonImplantationIonized dopant atoms are physically forced into the silicon crystal by accelerating them through high potentials (3 kV- 3 MV) toward the silicon wafer.
– Mass separator allows each implanter to run multiple
processes (B, P, BF2, As...)
– Low temperature (room temperature ~200 °C)
• can use photoresist as a mask
– Needs to be followed by an anneal
반도체 제작에서 mask 는 silicon dioxide or gallium arsenide wafer등의 기판에서 감광층을 선택적으로 노출시키기 위해 사용된다.
Wafer는 positive photoresist으로 개발되고, 노출된 부분은 화학적 과정으로 제거된다.
wafer 표면에 남겨진 모양은 노출에 의해 덮혀져 있던 부분이다.
TEM exposure
웨이퍼의 through
ionimplantation, metallization)
Organic: container, human, cosmetics,PR, Chemicals, ambient organic vapor
습식세정
단점
독성이 매우 강한 용액을 사용하여 위험
진공 장비들과 연계하여 연속적인 공정 수행 힘듦
반도체 소자 내의 small geometry에 대해서는 미약한 세정 효과
SCROD 세정
SCROD(Single-Wafer S
Lithography은 일반적으로 광에 의하여 마스크(Mask)
상에 기하학적 모형(Pattem)을 반도체 웨이퍼의 표면에
도포되어 있는 얇은 감광재료(Photoresist)에 옮겨 놓은
것이다
1. 감광제는 빛에 예민한 반응을 보이는 화합물로서 현재 반도체
산업에 쓰이는 감광제는 3가지 요소 용제, 다중체, 감응제로 구성
되