메모리칩의 모든 셀은 일정한 순서 없이 읽기/쓰기를 행한다는 것을 말한다. 메모리는 컴퓨터가 데이터를 빠르게 액세스할 수 있게 0과 1의 형태로 저장할 수 있도록 전기적으로 충전된 점들의 네트워크이다. 랜덤 액세스라는 말은 프로세서가 어떤 시작 위치로부터 차례로 진행해야하는 것이 아니라,
동일하게 적용되고 있다. 즉, DRAM의 Capacitor에 전하를 채워주거나 빼는 동작 대신에 M-RAM의 Capacitor에 Spin을 Up 또는 Down으로 만들어 주는 동작을 하는 것이다. Spin의 방향은 외부 자계를 인가하지 않는 한 변하지 않으므로 비휘발성 메모리이다.
Fe-RAM(강유전체메모리)는 기존의 DRAM과 가장 유사한
메모리 모듈의 밀도를 증가시켰다. SIMM처럼 DIMM도 다양한 형태와 크기를 가지고 있는데, 일반적으로 72핀, 144핀, 168핀을 사용한다.
메모리는 한 칩에 집적할 수 있는 메모리 셀의 최대 용량에 따라서 256MB, 512MB, 1G, 2G등 여러 종류가 있다. 일반적으로 72핀 DIMM(면당 36핀)은 데스크탑에 사용하며 노트북은 S
1. DRAM (Dynamic Random Acces Memory)
-동속호출 기억장치 또는 임의접근 기억장치라고도 한다. 컴퓨터의 기억장치로 많이 사용되는 메모리 반도체에는 랜덤 액세스 기억장치인 램(RAM)과 판독 전용 기억장치인 롬(ROM)이 있고, 램에는 일반적으로 동적 램인 디램과 정적 램인 에스램이 있다. 디램은 반도체 산업
▪ 강유전체(强誘電體, ferroelectrics)
1. 자발분극(spontaneous polarization)을 가진다.
2. 외부전기장에 의하여 자발분극의 방향을 바꿀 수 있다.
3. 자성체와 마찬가지로 퀴리온도에서 상전이 현상을 보인다.
4. 압전성(piezoelectric)과 초전성(pyroelectric)을 가진다.
유전체 중에서 자발분극을 가지는 물질