반도체에 다량으로 포함되어 있는 전자는 계면 근처의 GaAs표면에 2차원적으로 고밀도로 존재할 수 있다. 이 전자는 GaAs표면을 따라 이동하지만, GaAs는 불순물을 포함하지 않는 고순도 결정이므로 불순물에 의한 산란이 적다. 따라서 GaAs에서는 전자가 이동하기 쉬운 정도를 나타내는 이동도가 높게 된다
[3] Thin Film Deposition
초집적 반도체를 구성하는 소자들은 그 특성상 그 크기가 매우 얇아(작고) 미세한 조직을 가진다. 그리고 이것은 박막 증착(TFD = Thin Film Deposition) 공정을 통해 제작된다. 박막 증착이란 이름 그대로 표면에 얇은 막을 씌우는 기술을 뜻하는데 이 공정을 통해 기판(substrate)이나 이전에
MolecularBeam Epitaxy), 펄스 레이저 증착법(PLD, Pulsed Laser Deposition) 등이 그것인데, 이번 실험에서 사용한 증착법은 전자빔 증착법이다.
전자빔 증착법은 박막을 증착시킬 때, 증착시키고자 하는 물질을 소결하거나 녹여 고체 상태로 제조하고 전자빔을 쏘아 휘발시켜 기판에 증착시키는 방법이다. 이 때,
1. Univex 450 Evaporator
1) 구 조
메인 챔버, 기판홀더, Boat, 컨트롤러박스, 로터리 펌프, 터보펌프, 냉각수 흘려주는 장치
2) 주요 성능
전압을 이용해 저항열을 발생시킨다. 이 열에 의해 원소를 증발시켜 기판에 증착시켜 원하는 시료를 얻게된다.
3) 작동 순서
가) 메인 전원스위치를
4. 실험장비
① E-Beam Evaporator
PVD(Physical vapor deposition)의 한 방법으로 전자빔을 이용하여 박막을 형성하는 것이 E-Beam Evaporator이다. 그림5.는 E-beam장치의 구조도이다. 장치안의 필라멘트에 매우 높은 전압을 가하면 필라멘트에서 에너지를 가진 열전자들이 방출된다. 이 부분을 electron gun이라하고 여