흐르는 현상. 이러한 현상으로 인하여 많은 전류의 손실이 생기게 된다.
라는 현상 때문에 일반 도체 Wire를 쓸 수 없게 됩니다. 따라서 마이크로파 영역의 주파수를 다루는 회로에는 일반 Transmission Line이 아닌 특수한 Transmission Line이 쓰이게 되는데, 이러한 Transmission Line을 “MicrostripLine”이라고 한다.
1. DRAM (Dynamic Random Acces Memory)
-동속호출 기억장치 또는 임의접근 기억장치라고도 한다. 컴퓨터의 기억장치로 많이 사용되는 메모리 반도체에는 랜덤 액세스 기억장치인 램(RAM)과 판독 전용 기억장치인 롬(ROM)이 있고, 램에는 일반적으로 동적 램인 디램과 정적 램인 에스램이 있다. 디램은 반도체 산업
주파수 대역은 다수의 가입자를 수용하기 위해 다수의 좁은 주파수대역 즉 channel로 나누어지며, 현재적인 digital 통신에서는 이 channel은 다시 변조 방식에 의해 다수의 가입자를 수용하기 위하여 다중화되게 된다. 전압제어 발진기는 단말기 내에서 사용되는 주파수 대역중 송신 시와 수신시 digital data에
임피던스 값 등이 포함되기 때문이다. 이 값은 동작 주파수나 신호레벨에 따라 변동하는 복잡한 특성이 있다.
■ LCR Meter 원리
LCR Meter는 주파수에 따른 개별소자의 주파수 반응을 가지고 측정한다.
주파수에 따른 각 수동 소자의 이론적인 값
Capacitor의 Impedance = 1/j(2πf*C)
Inductor의 Impedance = j*2πf*L
Ⅰ. 정보저장의 원리
1. DRAM (Dynamic Random Access Memory)
DRAM(Dynamic Random Access Memory)은 가장 일반적인 종류의 램이다. Dynamic은 메모리칩이 데이터를 기억하기 위해서 일정한 시간 안에 매 비트를 리프래시 하는 것을 말하며, Random Access는 메모리칩의 모든 셀은 일정한 순서 없이 읽기/쓰기를 행한다는 것을