웨이퍼를 올려놓고 웨이퍼위에 PR을 떨어뜨리는데 위에 약 2~200Å의 두께로 층을 형성하기 위해서는 약 3000rpm의 속도로 회전시키면서 떨어뜨린다.
광막증착에는 Positive와 Negative방식 등이 있는데 Negative Resist는 노출되지 않은 부분만 남겨놓고 PR을 제거하는 방법으로서 약 2.0Å정도의 소자를 만들 때만
제작할 수 있게 된다. 또한 현재 100nm급인 미세 공정이 10nm급으로 향상돼 반도체 분야의 기술 발전이 촉진될 것으로 여겨져, 특히 차세대 반도체 및 평판 디스플레이용 회로 형성 기술로 인정되고 있기도 하다.
NIL 기술은 기존의 나노 패터닝 기술과 비교하여 고가의 장비가 필요 없어 상대적으로 제작
Furnace Open
Probe Zero Length
Probe Up → Sample Loading
Measure : Sample 초기길이측정
Test 조건 설정 후Furnace Close
약간의 안정화Time 거친 후 Start
Thermal Expansion
Glass transition, softening
Melting point
Creep/stress relaxation
Young's modulus
→ 고분자 물질의 특성 분석에 적합
양전자(positron) : 전자의 반입자 (질량
제작단계별로 이루어지는 연구동향을 분석하여 국내 LED 기술 발전에 기여해야 할 것이다.
1.2 LED의 구동원리
LED는 기본적으로 p형과 n형 반도체의 접합으로 이루어져 있으며, 전압을 가
하면 전자와 정공의 결합으로 반도체의 밴드갭 (band gap)에 해당하는 에너지를
빛의 형태로 방출하는 일종의
박막형성이 가능하고, 고융점 금속을 포함한 모든 재료에 적용할 수 있다. 또한 증착속도가 빠르며 multiple deposition이 가능하다. 그러나, 단점으로는 E-beam이 금속과 부딪히면서 X-ray가 발생되어 기판을 손상시킬 수 있다.
이번 실험에 빗대어 설명을 하면 실리콘 Wafer를 E-beam evaporator 내부 상단의 chamber에