비진공 증착방법
높은 공정비용 극복을 위해 고안
CIGS 나노입자를 이용한 Ink-printing 법
: CIGS 나노입자가 포함된 화학용액을 기판에 균일하게
펴 바른 후 건조•열처리로 CIGS 흡수층 박막 형성
CBD (Chemical Bath Deposition)
- 약 500~1000Å 정도의 두께로 CdS를 Deposition
- 용액 내 적정량
Substrate
비교적 저렴한 유리 기판으로 sodalime glass 사용
유리에서 확산된 Na이 태양전지의 효율을 증가시킴
Back contact
Sputtering법으로 증착된 Mo 사용
진공 상태에서 DC전압을 가하여 Radical이 존재하는 plasma 상태에서 기판에 증착
Sputtering 을 이용하여 Mo 위에 Cu-Ga/In으로 구성된 precursor
2.3. Back contact
후면전극 물질로는 Sputtering법으로 증착된 Mo이 가장 광범위하게 사용된다. 이는 Mo이 가진 높은 전기전도도, CIGS와의 ohmic contact, Se 분위기 하에서의 고온 안정성 때문이다. Mo 박막은 전극으로서 비저항이 낮아야 하고 또한 열팽창계수의 차이로 인하여 박리현상이 일어나지 않도록
증착이라고 부른다. 증발법은 Fig 8)과 같이 단위 원소인 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 셀레늄(Se)을 열증발원을 이용하여 동시에 증발시켜 고온 기판에 박막을 형성하는 방법이다. Chamber는 펌프를 사용하여 높은 진공 상태를 유지시키고, 아래쪽에는 증발시킬 재료인 Source 공급원을 설치한다. 전기적 저
태양전지의 기술 개발에 관해서는, 변환 효율의 향상이나 가격 조정 등이 계획되고 있고, 또 실리콘 및 화합물 반도체 태양전지의 양방에 있어서, 변환 효율 20%를 초월하는 태양전지 개발이나 가격을 낮출 수 있는 박막태양전지의 개발 등도 하고 있다.현재, 태양광 발전 시스템으로 일반적으로 사용되