Resistance ↓, but Transmittance ↓
② Graphene을 이용
☞ Transmittance ↑, but ContactResistance ↑
③ Metal/Graphene layer를 이용
☞ Transmittance ↑, ContactResistance ↓
④ Patterned metal + Graphene을 이용 !! ↕:Good
☞ Transmittance ↑↑, ContactResistance ↓↓ ↕: Bad
중략
실험 결과 - NiPatterned① Ni Patt
2.2. Ni/Cu/Ag 전극 형성
- Electroless Ni plating & sintering
먼저 산화막을 mask로 사용하는 pattern위에 Ni film을 형성하기 위해 무전해 Ni 도금법을 사용하였다. Ni 무전해 도금법은 실리콘 기판 위에 Ohmic contact을 만들기 위한 저가의 방법으로 차아인산나트륨을 환원제로 사용하는 화학환원도금법이다.
화학반
1. 서 론
1.1 LED를 왜 쓰는가?
LED(Light Emitting Diode)는 전기에너지를 빛에너지로 변환시켜주는 발광반도체로서, 1995년에 고휘도 녹색 LED가 개발됨에 따라 빛의 삼원색인 적색, 청색, 녹색 LED가 이용가능하게 되었으며, 1996년에는 청색 LED에 YAG:Ce 계열의 형광물질을 도포한 백색 LED가 개발되면서 차세대
1. 서론
지난 30년간 리소그래피 기술은 반도체 소자의 발전과 더불어 광 투사 리소그래피(Optical Projection Lithography) 기술을 중심으로 지속적인 발전을 거듭하였다. 그리하여 지금 193 nm의 광 투사 리소그래피를 이용하여 100 nm 이하의 선 폭을 형성할 수 있는 수준에 이르렀다. 그러나 반도체 기술은 앞으
1.Photolithography
리소그래피는 포토레지스트를 도포하는 공정으로 시작해 노광, 현상, 에칭, 포토레지스트 제거에 이르는 일련의 프로세스이다. 현상까지를 레지스트 처리공정으로 하며, 에칭 공정과 분리해서 생각할 수도 있다. 현재, 패턴 노광은 레티클이라 불리는 마스크 기판에 의해 축소 투영 전