공정에서 PR이 도포된 기판(웨이퍼)은 살짝 구워진 후 Mask Aligner 라는 장치로 보내지게 된다. 이 장치에 보내진 기판은 Aligner 작업과 노광작업이 동시에 이뤄지는데, 마스크에 형성된 패턴이 그대로 세밀하게 기판에 현상되는 작업을 Aligner 라고 한다.
*코팅 (Coating)
- 기판 표면에 PR을 얇게 바른 후, 살
리소그래피(Heat-Nano Imprint Lithography)
나노 임프린트 리소그래피는 크게 두 가지의 방법이 있는데, 첫째는 열가소성 수지 레지스트에 열을 가해서 패턴을 찍어낸 다음 냉각 시키는 방식을 사용하는 열 나노 임프린트 리소그래피 (Heat-Nano Imprint Lithography)이다. 이는 열 전사, 또는 Hot Empossing공정이라고
공정은 모든 프로세스 기술의 중심이며, 반도체 공장에서도 가장 많은 금액의 투자를 필요로 하는 장치이다. 패턴 형성 후에는 반드시 에칭 공정이 수반되며 현성된 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 처리할 수 있다.
1.2.Phothlithography 과정
(1)clean wafers
세정은 리소그래피를 처음으로 하는 각 공
1. 서론
지난 30년간 리소그래피 기술은 반도체 소자의 발전과 더불어 광 투사 리소그래피(Optical Projection Lithography) 기술을 중심으로 지속적인 발전을 거듭하였다. 그리하여 지금 193 nm의 광 투사 리소그래피를 이용하여 100 nm 이하의 선 폭을 형성할 수 있는 수준에 이르렀다. 그러나 반도체 기술은 앞으
레지스트 층과 떼어낸다. 2006년 4월 전자공학회지 제33권 제4호, 연세대학교, 강신일
그림 2. NIL 공정해석을 위한 공정도
이 임프린트 리소그래피공정은 기존의 다른 나노 패터닝 기술(포토 리소그라피, 전자 빔 리소그라피 등)처럼 고가의 장비가 필요 없고, 공정 시간이 짧게 걸리는 장점이 있다