2. Theory
2.1. 스핀(spin)
1890년 리드베리가 선스펙트럼의 규칙성을 밝히고, 1913년 보어가 수소원자 이론을 발견하여 원자의 스펙트럼선에 대하여 여러 가지 사항들이 알려지게 되었으나, 해결되지 않는 문제가 두 가지 있었다. 그 하나는 알칼리 원소의 스펙드럼 항이 2중 구조를 가지는 일이었고,
전기적 전류를 측정함으로써 결정된다. 정상상 태 도달 및 유지가 어려운 시스템에서는 (전기적 이중층이나 흡착 등에 의해 정전 용량 효과가 큰 경우) 실제보다 작은 분극저항값이 측정되어 부식속도가 크게 나타 나는 문제점이 있다. 뿐만 아니라 스케일이나 부착물이 계면에 존재할 경우에는,
(F)로 일반 커패시터는 μF나 ρF가 사용되고, 슈퍼 커패시터는 F가 주로 사용됨두 개의 분극성 전극으로 이루어진 EDLC의 충방전 원리는 <그림 2-5>와 같고 전극-용액 계면에 전하가 배열
전기 이중층 이론에 의하여 단위 면적 당 전하밀도와 전기 이중층 전위와의 관계는 유전율에 비례하고 거리에 반비례
인듐 원소의 Al 합금에서의 영향
표면 거칠기 + 입계부식 관점
Ga나 In를 첨가 후 긴 시간(5min)을 두면 수소발생률
표면의 점진적 거칠기 증가 실제 계면 면적 증가, 부식속도 가속화
고용한이 낮을 경우, discrete second phase, 중간금속화합물, 석출물 형성
Ga, In은 Al보다 particle size가 큼
고용한 초
매우 높으며, 4) 기존의 벌크형에 비하여 계면 간의 기계 및 화학적 결합이 우수하여 전지 효율이 매우 높으며, 5) 박막 공정을 응용할 수 있으므로 대량 생산에 매우 유리하다.
표 1에 전력을 필요로 하는 소형의 전자, 전기 소자에 응용되기 위해 요구되는 박막 전지의 성능의 예를 나타내었다.
1. 시장조사
(1) 현재 메모리 수요와 대처 방안
시장규모
.「삼성전자 반도체 4분기 매출액, 5조4200억원, 매출 전분기 대비 10% 증가…D램 수요 증가에 힘입어
올 4분기 삼성전자의 반도체 부분 매출은 전분기에 비해 11% 증가한 5조4200억원, 영업이익은 1조6600억원에 이른 것으로 나타났다.삼성전자는 12
Ⅰ. 정보저장의 원리
1. DRAM (Dynamic Random Access Memory)
DRAM(Dynamic Random Access Memory)은 가장 일반적인 종류의 램이다. Dynamic은 메모리칩이 데이터를 기억하기 위해서 일정한 시간 안에 매 비트를 리프래시 하는 것을 말하며, Random Access는 메모리칩의 모든 셀은 일정한 순서 없이 읽기/쓰기를 행한다는 것을
전기유변유체(Electrorheological Fluid: ERF)는 일반적으로 절연성의 유체에 분극성이 강한 미립자가 분산된 현탁액(suspension)으로서 외부에서 강한 전기장이 인가되면 그 유변학적 역학적 특성이 변하는 유체를 말한다. 이러한 전기유변유체는 1947년 Willis Winslow 비전도성 오일 내의 절연입자들이 부과된 전기
분극 현상을 가지고 있다.
일반적으로 육방정계는 두 개의 TiO6 그룹이 면을 공유하여 Ti2O9 그룹을 형성하므로 Ti2O9 에 존재하는 Ti 원자들은 서로 강하게 반발하여 분극현상이 나타난다.
이러한 자발적 분극 현상은 외부 전장에 의해 반전시킬 수 있어 BaTiO3는 강유전체가 된다.
1.1 BaTiO3 광학적