소개글
[전자재료실험] MOS Capacitor SiO2 산화층 두께가 Capacitor 에 미치는 영향에 대한 자료입니다.
목차
1.Purpose
2.Procedure
3.Result
4.Discussion
5.Reference
6.Q & A
본문내용
진동수 : 일정한 두께에서 진동수: 10Hz 1KHz 1MHz
두께 : 일정한 진동수에서 두께: 100 200 300 nm
I-V graph에서의 변수
두께 : 다른 조건은 고정시키고 두께를 100 200 300 nm
C-V 이론 및 그래프
진동수 변화에 따른 C-Vgraph
: 수명에 따라 다양한 graph 존재
high frequency 인 경우 경향이 없다.
low frequency 인 경우 peak가 보인다.
두께 변화에
따른 C-V graph
(k=유전상수, A=단면적, d=두께)
d와 C는 반비례 한다.
참고문헌
- 고체전자공학 6판 '벤 스트리트만'
- 이후정교수님‘반도체공학개론’강의자료
* 진공
- http://blog.naver.com/ps_999?Redirect=Log&logNo=90031481433
- http://blog.naver.com/lastscene00?Redirect=Log&logNo=60117700677
* E-BEAM
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* NiCr과 Au
- Electronic materials and processes handbook (공)저: Charles A. Harper p.8.66
- Processing of wide band gap semiconductors (공)저: S. J. Pearton
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- Thin film technology handbook (공)저: Aicha Elshabini-Riad,Fred D. Barlow chapter5 p.8-9
* Deep depletion
- Comprehensive study on the deep depletion capacitance-voltage behavior for metal-oxide-semiconductor capacitor with ultrathin oxides, Cheng, Jen-Yuan; Huang, Chiao-Ti; Hwu, Jenn–Gwo, Journal of Applied Physics ,Oct2009 Volume 106 Issue 7 Pages