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소개글
thermal oxide에 대한 자료조사에 대한 자료입니다.
본문내용
Ⅰ.thermal oxide 제조와 관련된 실험 원리 및 배경설명, 실험방법 조사
thermal oxide(열산화막 = SiO2)는 ‘Oxidation’을 통해 형성된다.
Oxidation이란?
반도체 공정에서 Si 기판 위에 산화제(물이나 산소)와 열에너지를 공급해 절연막 등 다양한 용도로 사용되는 SiO2막을 형성하는 공정, SiO2는 절연막으로써 누설전류가 흐르는 걸 막아주고, 이온주입공정에서 확산 방지막, 식각공정에선 식각 방지막 역할을 한다.
Oxidation의 실험 원리
산화막을 형성하는 데에는 여러 공정변수가 존재하는데,
그 변수에 따라 산화막의 두께를 조절 할 수 있다.
하고 싶은 말
thermal oxide에 관해서 레포트를 작성할 때 정리했던 자료들입니다~
분야
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