3. 실험결과
<이상기체상태방정식을 이용한 증착량 계산>
o 이상기체가정, 이상기체방정식(PV=nRT) 성립
o Chamber의 부피 m3, 온도 25℃
o Alq3의 분자량은 459.44g/mol 이다.
o 증발한 시료의 몰수는 = 실험 후 기체의 몰수-실험 전 기체의 몰수
o 증발한 시료의 무게는 = 실험 전 시료의 무게-실험
3. 실험 결과
(1) 시료별 증착 속도와 압력 강하 및 그에 따른 측정값
시료
증착 속도(Å/S)
처음 압력(Pa)
1분후 압력(Pa)
증착 시작시 전류(A)
전압(V)
누적증착량
(kA)
1
0.5
5.0X10-3
3.0X10-3
43.5
1.2
0.051
2
1.0
5.0X10-3
3.5X10-3
47.8
2.0
0.180
(2) 시료의 질량변화
질량
시료
실험전 총무게
실험
반도체 공정에서의 박막증착공정의 중요성과 박막의 조건
반도체 공업은 현재의 전자 및 정보화 사회를 주도하고 있는 공업으로서 1960년대 집적회로(Integrated Circuit)가 개발된 이래 계속적으로 비약적인 성장을 거듭하면서 과거의 산업혁명에 버금가는 전자혁명시대를 이끌고 있다. 반도체 공업은 1
-화학 기상 증착법(CVD)
저압 화학 기상 증착 (Low Pressure CVD, LPCVD)
플라즈마 향상 화학 기상 증착 (Plasma Enhanced CVD, PECVD)
대기압 화학 기상 증착 (Atmospheric Pressure CVD, APCVD)
-물리 기상 증착법(PVD)
금속의 증기를 사용하는 증발(evaporation) 증착법
물질에 물리적인 충격을 주는 방법인 Sputtering 증착법
-At