1. 서론
최근 반도체칩의 집적도는 무어의 법칙 (Moore's Law)를 넘어서 지난 26년간 용량은 3200배 정도로 증가했다. 다시 말해 고(高)메모리의 수요가 증가함에 따라 반도체 디바이스의 집적화가 요구되고 이른바 ‘나노 시대’가 도래하였다. 기존의 리소그래피(Lithography) 기술은 나노 사이즈의 패턴을
1. 서론
지난 30년간 리소그래피 기술은 반도체 소자의 발전과 더불어 광 투사 리소그래피(Optical Projection Lithography) 기술을 중심으로 지속적인 발전을 거듭하였다. 그리하여 지금 193 nm의 광 투사 리소그래피를 이용하여 100 nm 이하의 선 폭을 형성할 수 있는 수준에 이르렀다. 그러나 반도체 기술은 앞으
(4) Double patterning
The double patterning is divided into four parts, leading with wafer requirements and then two sets of lithographic requirements (Generic Pitch Splitting - Double Patterning Requirements Driven by MPU metal Half-Pitch and Generic Spacer Patterning Requirements - Driven by Flash). The lithography requirements are different for each process; the requirements for pitch splitti
리소그래피(Lithography)라고 한다면 반도체 집적회로를 반도체표면에 그리는 방법 및과정을 통칭한다. 회로를 그릴 때, 더 얇게 회로선을 표현할 수 있다면 집적도가 훨씬 높아지게 되어 같은 크기의 칩에서도 많은 정보를 훨씬 빠르게 처리할 수 있는 것이다. 리소그래피 기술은 초미세 인쇄기술이라고
1. Photo Lithography
(1) 리소그래피 기술의 개요2-
(1)
리소그래피는 포토마스크 기판에 그려진 VLSI의 패턴을 웨이퍼 상에 전사하는 수단이다. 포토레지스트(감광성 수지)의 도포에서 시작되어 스테퍼(노광장치) 스테퍼(stepper) - p8 참조
에 의한 패턴의 축소투영노광, 현상을 거쳐 포토레지스트를