(4) Double patterning
The double patterning is divided into four parts, leading with wafer requirements and then two sets of lithographic requirements (Generic Pitch Splitting - Double Patterning Requirements Driven by MPU metal Half-Pitch and Generic Spacer Patterning Requirements - Driven by Flash). The lithography requirements are different for each process; the requirements for pitch splitti
리소그래피는 초미세 가공인 나노 가공을 실현하기 위해 제안된 기술이다. 기존 반도체공정의 사진 현상 방식의 미세화의 한계점을 극복하고, 스탬프에 잉크를 채워 도장을 찍듯이 나노 크기의 패턴을 간단하게 기판위에 찍어내어 나노 구조물을 제작하는 것이다. 이는 현재 100nm급의 패턴 사이즈를 10
공정해석을 위한 공정도
이 임프린트 리소그래피공정은 기존의 다른 나노 패터닝 기술(포토 리소그라피, 전자 빔 리소그라피 등)처럼 고가의 장비가 필요 없고, 공정 시간이 짧게 걸리는 장점이 있다. 이러한 NIL공정의 해석에 있어서 온도 제어와 폴리머 소재의 힘과 에너지를 표현하는 force field의
리소그래피 관련 기술의 가격을 상승시키는 중요한 추세로써 미래 기술 발전에서 가장 먼저 해결해야 할 문제로 지적되고 있다. 또한 최근 급 부상하고 있는 나노 기술과 바이오 기술 등은 새로운 형태의 3차원 구조, 평탄하지 않은 기판, 깨지지 쉬운 기판 사용 등을 필요로 하여 기존의 광 투사 리소그
공정은 모든 프로세스 기술의 중심이며, 반도체 공장에서도 가장 많은 금액의 투자를 필요로 하는 장치이다. 패턴 형성 후에는 반드시 에칭 공정이 수반되며 현성된 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 처리할 수 있다.
1.2.Phothlithography 과정
(1)clean wafers
세정은 리소그래피를 처음으로 하는 각 공