ofgraph to shift to the [Figure 12] C-Vgraph shift by direction of bias
side. These charges are generated by ions came in the process of deposition of oxide layer. When the charges exist in between the substrate and interface, the value of Vfb and C-V curve will shift by amount of the charge divided by Cox of Ci. The amount of shifting decreases as the position of fiexed charges is far from in
MOS의 특성을 파악한다. 본 실험에서는 Oxide의 두께에 따른 C-V, I-V 특성을 평가한다.
2. 이론 배경 지식
2.1. MOS의 이해
2.1.1. MOSCapacitor의 구조
그림 1. MOScapacitor의 구조
MOScapacitor는 metal, oxide, semiconductor로 구성된 capacitor이다. 이것은 일반적인 capacitor의 한쪽 도체 판을 반도체인 p-type 또는 n-t
반도체산업의 중심에 서있다. 이러한 MOSFET의 바탕이 되는 MOS를 이용한 capacitor 즉 MOScapacitor는 유전체로써 oxide를 사용하였기 때문에 붙여진 이름이며 이번 실험에서 제작할 소자이다. 전기신호의 증폭과 스위칭을 가능하게 한 Transistor의 기능에 가장 근본적인 원리를 설명하여 줄 수 있는 것이 MOS capacit
capacitor는 실험도중 어디선가 문제가 발생했음을 알 수 있다
반도체가 예측가능하고 믿을 만한 전기적 특성을 띄기 위해선 화학적 순도(purity)가 높고, 결정 구조가 완벽해야 한다. 즉, 아주 작은 불순물에 의해서 반도체의 성질이 매우 크게 변하기 때문에 대단히 높은 화학적 순도가 필요하다. 그리고
실험에 빗대어 설명을 하면 실리콘 Wafer를 E-beam evaporator 내부 상단의 chamber에 장착을 하고 도가니에 증착하고 싶은 물질, 예를 들어 powder를 올린다. 이때 물질의 상태는 solid상태여야 한다. 내부를 진공으로 만들어 준 뒤 E-beam gun을 물질에 쏘아서 증발시켜 실리콘 wafer에 증착을 시키는 것이 원리가 된다