from interface on the substrate and shifting will not exist any more when it is located on the interface between metal and interface. Mobile charges has the same effect. But it makes the curve shift toward applied voltage because the movement of charges is determined by applied voltage(-,+). It is known that mobile charges are generated when dielectric material has the impurities such as Na ion.
공정상 사용하는 빛의 한계이다.현재 전자 회로 생산 공정에서 사용하는 자외선의 가장 짧은 파장이 약 250나노미터이다. 포토리소그래피에서 작은 회로두께를 만들기 위해서는 회로두께보다 작은 파장의 광선이 필요한데 이것은 그리려는 선보다 폭이 두꺼운 붓으로는 선을 그리기 힘든 것과 같습니
4. Equipment
4.1 RCA cleaning
RCA cleaning is a series of rinsing procedure prior to experiment with Si wafer. The purpose of the RCA clean is to remove organic contaminants (such as dust particles, grease or silica gel) from the wafer surface. There are three steps to be performed. The first step is to remove organic contaminant from surface of wafer. Second step is to remove any oxide layer
MOS Capacitor의 C-V 및 I-V 그래프의 변화를 보기위하여 변수를 3가지 SiO₂ 두께(100nm, 200nm, 300nm)로 설정하였고, 통제 변인으로는 metal을 Ti로 정하였다.
3. 이론배경 (Theories)
3.1. Si 특성
그림1. 초크랄스키법으로 제작된 단결정
실리콘은 금속과 비금속의 특징을 모두 가지는 전형적은 반도체소자
1. 실험 목적
MOS capacitor를 직접 제작하면서 그 공정을 이해하고, dielectric material의 두께 및 electrode의 크기를 변수로 두고 C-V와 I-V를 측정하여 각각의 변수가 어떤 영향을 미치는지에 대하여 분석해 본다.
2. 실험 배경
1960년에 벨 연구소의 연구진은 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)을