Lithography
Types of Photolithography Processes
Photoresists 는 빛, 전자에 민감한 감광성의 중합체로서 positive 와 negative의 두 가지 타입으로 나눌 수 있다.
Positive: 마스크와 같은 형상을 새김
Negative: 마스크와 반대 형상을 새김
Stereo lithography (3차원 리소그라피)
가장 널리 쓰이는 형상 구현 기술
액
248nm 파장의 KrF 엑사이머 레이저 노광기술로 256메가빗(Mbit) DRAM 반도체의 대량생산이 이루어지고 있으며 1 기가빗(Gb) 메모리 반도체의 생산이 가능하게 되었다. 하지만 반도체 기술 분야에서 소자의 최소 선폭 크기(CD: critical dimension )는 Cordon Moore의 법칙에 따라 매 3년마다 30% 정도로 줄어들고 있다.
리소그라피의 미세화 한계점을 극복하고 도장 찍듯이 간단하게 나노 구조물을 제작할 수 있게 된다. 또한 현재 100nm급인 미세 공정이 10nm급으로 향상돼 반도체 분야의 기술 발전이 촉진될 것으로 여겨져, 특히 차세대 반도체 및 평판 디스플레이용 회로 형성 기술로 인정되고 있기도 하다.
NIL 기술은
생산이 가능하다는 장점이 있다.
2. 본론
⑴ Nano Imprint Lithography (NIL) 의 기본 원리
나노 임프린트 리소그래피는 초미세 가공인 나노 가공을 실현하기 위해 제안된 기술이다. 기존 반도체 공정의 사진 현상 방식의 미세화의 한계점을 극복하고, 스탬프에 잉크를 채워 도장을 찍듯이 나노 크기
1.Photolithography
리소그래피는 포토레지스트를 도포하는 공정으로 시작해 노광, 현상, 에칭, 포토레지스트 제거에 이르는 일련의 프로세스이다. 현상까지를 레지스트 처리공정으로 하며, 에칭 공정과 분리해서 생각할 수도 있다. 현재, 패턴 노광은 레티클이라 불리는 마스크 기판에 의해 축소 투영 전