1. 실험 목적
조성에 따른 Cu와 Cu-Sn의 특성 변화를 알 수 있다.
2. 이론 조사
2.1 분말공정(Powder Metallurgy) : Cu+Sn(10wt%Sn)
금속분말을 가압 성형하여 굳히고, 가열하여 소결함으로써 목적하는 형태의 금속 제품을 얻는 방법이다. 비교적 간단한 공정으로 원하는 형상의 제품을 만들 수 있다. 주조(casting)
실험방법2.1.1. Compaction(분말 압축 공정) 1)성형틀(몰드)에 Cu의 분말가루를 넣는다.2)1∼2분간 바닥에 약하게 Tapping 해서 분말의 표면을 평평하게 만든다.3)압입봉을 몰드에 넣는다. 이 때 압입봉과 분말 사이 빈공간의 공기를 뺀다.4)프레스기를 이용해 가하는 300MPa 압력을 가하면서 일방향 압축을 한다.5)
1. 실험목적 (Purpose)
MOSFET Structure을 가진 MOS Capacitor를 제작하여 그 제작 공정 과정을 알고 MOS Capacitor의 구동 원리를 이해하며 Oxide층(SiO₂) 두께에 따른 MOS Capacitor의 C-V 및 I-V 그래프 변화를 분석해본다.
2. 실험변수 (Variables)
산화층 두께에 따른 MOS Capacitor의 C-V 및 I-V 그래프의 변화를 보기위하
실험 조건
Press Pressure에 따른 구리의 물성변화를 알아보기 위해 Press 과정의 압력을 각각 100MPa, 300MPa, 500MPa로 설정하였고, 통제 변인으로 구리분말의 크기를 10μm, 구리의 무게를 4g, Sintering 온도를 700℃, Sintering 시간을 2시간으로 설정하였다.
2. 실험 방법 및 순서
2.1. 분말 압축 공정
1) 성형틀
1. 실험목적
MOS capacitor를 직접 제작하면서 그 공정을 이해하고, Metal층과 Oxide층, 공정과정의 종류를 변수로 놓고, 각 device별로 C-V와 I-V를 측정하여 각각의 변수가 Capacitance와 Current에 어떤 영향을 미치는지에 대하여 분석해 본다.
2. 실험이론
① MOS Capacitor
(a) MOS Capacitor의 구조
MOS capacitor의 구조