따른 MOS Capacitor의 C-V 및 I-V 그래프의 변화를 보기위하여 변수를 3가지 SiO₂ 두께(100nm, 200nm, 300nm)로 설정하였고, 통제 변인으로는 metal을 Ti로 정하였다.
3. 이론배경 (Theories)
3.1. Si 특성
그림1. 초크랄스키법으로 제작된 단결정
실리콘은 금속과 비금속의 특징을 모두 가지는 전형적은 반도체
따른 MOS의 특성을 파악한다. 본 실험에서는 Oxide의 두께에 따른C-V, I-V특성을 평가한다.
2. 이론 배경 지식
2.1. MOS의 이해
2.1.1. MOS Capacitor의 구조
그림 1. MOS capacitor의 구조
MOS capacitor는 metal, oxide, semiconductor로 구성된 capacitor이다. 이것은 일반적인 capacitor의 한쪽 도체 판을 반도체인 p-type 또
특성은 직선 관계를 나타낸다. 가 증가하면 게이트와 n형 반전층 사이의 평균적인 전위차가 적게 되어 절연층에 걸리는 전계가 약해지므로, 반도체 표면에 유기되는 부(-)의 전하량이 감소해서 채널의 도전성이 저하되고 - 특성은 직선 관계에서 멀어지기 시작한다. 더욱 를 증가시키면 드레인 전극
도착한 기체상태의 물질의 조성과 같다. PVD는 증착시키려는 물질을 기체 상태로 만들어서 날려 보내는 것이므로 진공 상태에서 해주어야 한다. 즉, 중간에 다른 기체 분자들과 부딪혀서 기판에 닿지 못하거나 중간에 열을 잃어버려서 고체로 변해버리는 문제를 막기 위해 진공 환경에서 실험해야한다.
이번 실험에서는 Source와 Drain을 만들지 못하고 Si위에 와 Pt를 올려서 만들었고 그림은 다음과 같이 볼 수 있으나 원리는 MOSFET와 같다고 볼 수 있다.
1) 산화공정(Oxidation)
열 산화법은 산화층 내부와 SiO2/Si 계면에 결함을 거의 생성시키지 않는 방법으로서 우수한 특성의 절연막을 형성시킬 수 있는