특성
그림1. 초크랄스키법으로 제작된 단결정
실리콘은 금속과 비금속의 특징을 모두 가지는 전형적은 반도체소자로서 탄소족인 14번 원소이다. 자연에서는 단결정 형태로는 거의 존재하지 않으며 대부분 이산화규소나 규산염의 형태로 존재한다. 하지만 단결정 실리콘의 경우에는 반응성이 극
특성은 직선 관계를 나타낸다. 가 증가하면 게이트와 n형 반전층 사이의 평균적인 전위차가 적게 되어 절연층에 걸리는 전계가 약해지므로, 반도체 표면에 유기되는 부(-)의 전하량이 감소해서 채널의 도전성이 저하되고 - 특성은 직선 관계에서 멀어지기 시작한다. 더욱 를 증가시키면 드레인 전극
이번 실험에서는 Source와 Drain을 만들지 못하고 Si위에 와 Pt를 올려서 만들었고 그림은 다음과 같이 볼 수 있으나 원리는 MOSFET와 같다고 볼 수 있다.
1) 산화공정(Oxidation)
열 산화법은 산화층 내부와 SiO2/Si 계면에 결함을 거의 생성시키지 않는 방법으로서 우수한 특성의 절연막을 형성시킬 수 있는
공정과정의 종류를 변수로 놓고, 각 device별로 C-V와 I-V를 측정하여 각각의 변수가 Capacitance와 Current에 어떤 영향을 미치는지에 대하여 분석해 본다.
2. 실험이론
① MOS Capacitor
(a) MOS Capacitor의 구조
MOS capacitor의 구조
MOS는 Metal-Oxide-Semiconductor의 약자로, 금속 층과 반도체 물질로 되어 있는 두 개의
공정에서는 매스킹에 의한 결함을 그리고 소자 배선 상에서 소자의 작동을 방해하는 등 소자 특성 불량의 원인이 된다. 또한 입자 수가 증가할수록 게이트 산화막의 절연막 파괴 전압이 감소되어 그 신뢰성과 수율이 저하되는 원인이 되고 있다. 따라서 입자들은 반도체 소자의 수율에 가장 큰 영향을