capacitor의 두께(d)가 얇아질수록 커진다. 그러므로 두께가 얇아질수록 capacitance의 크기는 커질 것으로 예상하였다.
I-V 그래프에서는 누설 전류(Leakage current)를 측정 할 수 있는데, 이 누설 전류는 산화막의 두께에 따라 다르다. 산화막의 두께가 얇아짐에 따라 누설 전류가 증가하는데, 산화막이 얇아지게
재료로서 가장 널리, 많이 사용되고 있다.
반도체를 만들 때는 일반적으로 초크랄스키법을 이용해 실리콘은 거대한 단결정으로 성장시키며 이를 얇게 절단한 것이 wafer이다. 이 실리콘 wafer는 넓은 에너지밴드갭을 가지며 비교적 고온에서도 소자가 작동가능하다는 장점이 있어 다양한 반도체 소자를
실리콘(SiO2)으로 모래, 암석, 광물 등의 형태로 존재한다. 이들은 지각의 1/3정도를 구성하고 있어 지구상에서 매우 풍부하게 존재하고 있으며, 따라서 반도체 산업에 매우 저가의 가격으로 안정적으로 공급될 수 있는 재료이다. 또한 물질에 독성이 전혀 없어 환경적으로 매우 우수한 재료이기도 하다.
되고, 금속기판은 (+)전하를 띄게 되고, 경계면의 Si원자는 (-)charge를 띄게 된다. 이때 hole과 -전자들이 합쳐지고, 남은 소량의 전자들이 Vg가 커짐에 따라 Si과 Oxide의 경계면으로 이동한다. 이때 carrier가 hole에서 (-) charge로 바뀐다. 결국 반도체가 p형에서 n형으로 반전되는 것이므로 inversion이라 한다.
도착한 기체상태의 물질의 조성과 같다. PVD는 증착시키려는 물질을 기체 상태로 만들어서 날려 보내는 것이므로 진공 상태에서 해주어야 한다. 즉, 중간에 다른 기체 분자들과 부딪혀서 기판에 닿지 못하거나 중간에 열을 잃어버려서 고체로 변해버리는 문제를 막기 위해 진공 환경에서 실험해야한다.