진공 환경을 요구하는 것이다.
★E-beam evaporator의 원리
E-beam evaporator는 각종 금속(Au, Al, Ti, Cr, 등)과 유전체(SiO2)의 박막을 기판 위에 증착할 수 있는 장비로써, 반도체 공정 및 MEMS 공정에 필요한 전극 제작에 주로 사용되며, 이외에도 다양한 용도에 응용될 수 있다. 박막증착시 박막두께측정 센서
증착할 경우에 조성비를 조절하는데 어려움이 있다.
Thermal Evaporator는 각종 금속(Au, Al, Ti, Cr, In, Ni)과 유전체(SiO2)의 박막을 기판 위에 증착할 수 있는 장비이다. 진공도는 1.0 ( 10-6 Torr까지 얻을 수 있다. 박막증착 시에는 박막두께측정 센서를 통해 박막의 두께를 확인하며 공정을 진행할 수 있다.
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도착한 기체상태의 물질의 조성과 같다. PVD는 증착시키려는 물질을 기체 상태로 만들어서 날려 보내는 것이므로 진공 상태에서 해주어야 한다. 즉, 중간에 다른 기체 분자들과 부딪혀서 기판에 닿지 못하거나 중간에 열을 잃어버려서 고체로 변해버리는 문제를 막기 위해 진공 환경에서 실험해야한다.
증착할 수 있는 장비이다. 진공도는 Torr까지 얻을 수 있다. 박막증착시에는 박막두께측정 센서를 통해 박막의 두께를 확인하며 공정을 진행할 수 있다. 박막은 보통 0.5 Aring/sec ~ 1.0 Aring/sec의 증착 속도로 증착을 하며 3, 4 인치 웨이퍼를 비롯하여 여러 가지 시편 위에 박막증착이 가능하다. 고진공에
② Thermal Evaporator
각종 금속(Au, Al, Ti, Cr, In, Ni)과 유전체(SiO2)의 박 막을 기판 위에 증착할 수 있는 장비이다. 진공도는 Torr까지 얻을 수 있다. 박막증착시에는 박막두께측정 센서를 통해 박막의 두께를 확인하며 공정을 진행할 수 있다. 박막은 보통 0.5 Aring/sec ~ 1.0 Aring/sec의 증착 속도로 증착을 하