3. 실험결과
<이상기체상태방정식을 이용한 증착량 계산>
o 이상기체가정, 이상기체방정식(PV=nRT) 성립
o Chamber의 부피 m3, 온도 25℃
o Alq3의 분자량은 459.44g/mol 이다.
o 증발한 시료의 몰수는 = 실험 후 기체의 몰수-실험 전 기체의 몰수
o 증발한 시료의 무게는 = 실험 전 시료의 무게-실험
도착한 기체상태의 물질의 조성과 같다. PVD는 증착시키려는 물질을 기체 상태로 만들어서 날려 보내는 것이므로 진공 상태에서 해주어야 한다. 즉, 중간에 다른 기체 분자들과 부딪혀서 기판에 닿지 못하거나 중간에 열을 잃어버려서 고체로 변해버리는 문제를 막기 위해 진공 환경에서 실험해야한다.
실험 순서
1) 기판 준비
① ultrasonic에 기판을 10분간 돌리고
20분간 150℃로 Dry Oven에 말린다.
② heating boat에 ALQ3를 고정시키고
기판에 증착판을 고정한다.
⑤ Chamber내의 압력이 충분히 떨어진 후 다시 Fore way쪽으로 벨브를 연다.
⑥ 오일확산펌프의 압력이 10-2Pa까지 떨어지면 R
진공증착이나 스퍼터링법으로 형성된 ITO(Indium Thin Oxide)가 주로 전극으로 사용된다. 일반적으로 Anode 전극은 보다 많은 정공을 만들고 정공의 주입을 용이하게 하기 위하여 일함수가 큰 물질을 사용한다. 또한 OLED소자가 발광했을 때 발광효율을 저하시키지 않게 하기 위하여 광투과도가 높은 물질을
실험에 빗대어 설명을 하면 실리콘 Wafer를 E-beam evaporator 내부 상단의 chamber에 장착을 하고 도가니에 증착하고 싶은 물질, 예를 들어 powder를 올린다. 이때 물질의 상태는 solid상태여야 한다. 내부를 진공으로 만들어 준 뒤 E-beam gun을 물질에 쏘아서 증발시켜 실리콘 wafer에 증착을 시키는 것이 원리가 된다