스테인레스강 등으로 만들어진다.
<그림1>볼밀링장치
2. FESEM (Field Emission Scanning Electron Microscopy)
LAGP-PP와 AL-PP 그리고 일반 폴리프로필렌 분리막의 모폴로지를 확인하기 위해서 각각의 분리막에 금으로 코팅한 뒤 field emission scanning electron microscopy(FESEM, S-4800, Hitachi, Japan)를 사용해 분석했다.
나. 실험 준비물
Dry etcher, FE-SEM, ICP, Si wafer 시료
다. 실험 과정
1) Cleaning, Oxidation, Photolithography 공정을 마친 wafer 시료를 준비한다.
2) 시료의 표면을 FESEM으로 찍은 후 표면의 감광제 모형인 마스크 패턴을 확인한다.
(식각 전 패턴 사이즈 측정)
3) ICP 장비의 반응 Chamber에 시료를 넣는다.
4) Chamber를 대
- 대칭 냉간 압연의 경우 모든 두께 층에서 평면 변형에 의한 전형적인 집합조직이 발달한다. 하지만 표면층의 전단응력이 내부까지 미치지 못하기 때문에 표면의 전단 변형량이 중심보다 크게 된다. 이러한 중심층과 표면층의 불균형은 압하율이 클 수록 더 심화 된다.
비대칭 압연 : 상 ․ 하부
1980년대부터 집합조직을 방위분포함수(ODF, orientation distribution function)으로 정 량적으로 표현하기 시작했고, 현재 집합조직을 연구하는 대부분의 연구는 집합조직을 X-선 회절법이나 EBSD(electron backscattered diffraction)로 측정하여 방위분포함수로 계산하 고 있다.
3. 실험 장치 및 방법
3-1. SEM(Scanning
green, blue color가 random하게 나타나는 것을 관찰할 수 있다. 이는 각각의 color에 해당하는 방위를 갖는 결정립들이 무질서하게 배열되어 있으며, 따라서 무질서한 집합조직(texture)을 갖는다 하겠다. 그에 반해 시편 B의 경우 <그림 2>에서 보듯이 ND는 blue color가, RD는 green color가 뚜렷하게 관찰된다. Color key를
분리막의 역할-요구조건
높은 이온투과도, 낮은 이온전도 저항
전기적인 절연체
화학적, 전기화학적 안정성
충분한 물리적, 기계적 강도
열적 안정성
현재 상용화된 분리막의 한계
현재 상용화 된 분리막 재료 - Polyolefin계열
장점
가격
적절한 기계적 특성
단점
녹는 점(135~165도)
1. 서론
ZnO는 투명한 반도체 물질로써 자외선 영역에서 발광하고 실온일 때 band gap이 3.37 eV로 매우 넓어 우수한 광전자적 특성을 가지고 있어 단파장의 광전자 분야에서 활용의 가치가 높으며 높은 엑시톤 결합에너지(60 meV)를 가지고 있어 태양전지로의 개발에도 주목을 받고 있다. ZnO의 Piezoelectric,
1. 레독스 플로우 전지의 원리와 구조
(1) 정의
레독스플로우(Redoxflow) 전지란 reduction(환원), oxidation(산화), flow(흐름)의 단어를 합성한 것으로, 가수가 변화하는 금속 이온을 가진 수용성 전해액을 탱크에 저장하고 그 전해액을 펌프로 셀이라고 불리는 부분에 송액 하여 충∙방전하는 전지를 의미
1. 실험목적
전자제품 (반도체, display)에 전기배선 재료로 사용되는 Al이 있다. 하지만 최근의 경향이 고집적화, 대면적화로 진행됨에 때라서 대체 재료로 Cu이 각광을 받고 여러 방면에서 연구를 진행하고 있다.
Cu bulk의 비저항은 1.67μΩ-㎝로서 Al bulk(2.7μΩ-㎝)에 비해 매우 낮다. 이러한 특성으로 인하
The ZnO:Al films were deposited onto glass substrates.
A ceramic ZnO:Al2O3 (2 wt.%) target was used.
the chamber was evacuated to a background pressure of 5 *10-4 Pa
The working pressure during the film deposition was in the range from 0.3 Pa to 1.0 Pa by applying pure Ar gas.
The discharge power was between 100 and 200 W.
As the increasing of the thickness of the deposited film,