공정과정의 종류를 변수로 놓고, 각 device별로 C-V와 I-V를 측정하여 각각의 변수가 Capacitance와 Current에 어떤 영향을 미치는지에 대하여 분석해 본다.
2. 실험이론
① MOS Capacitor
(a) MOS Capacitor의 구조
MOS capacitor의 구조
MOS는 Metal-Oxide-Semiconductor의 약자로, 금속 층과 반도체 물질로 되어 있는 두 개의
도선 전체가 힘을 받는 것이지 아니면 도선내의 전자(전류)만이 힘을 받는 것인지 알고 싶어 했다. 그는 후자가 맞을 것이란 생각에, '만약 고정된 도선내의 전류 자신이 자석에 끌린다면, 전류는 도선의 한쪽으로 흘러나와야 하겠기에 도선의 전기저항이 증가할 것' 이란 가정에 따라 실험을 행하였다
공정이다. solder reflow 오븐을 써서 수행 된다. 이 오븐은 필요한 온도를 얻기 위해 두가지 방법을 쓰는데 보완적으로 쓰이는 IR(Infrared)Reflow와Convection Reflow가 있다. 현재 많은 오븐들은 이 두가지를 혼용하여 보다 나은 성능을 발휘하도록 하고 있다.
2) 패키징
패키징(Packaging)이란 반도체에 전기
반도체소자로서 탄소족인 14번 원소이다. 자연에서는 단결정 형태로는 거의 존재하지 않으며 대부분 이산화규소나 규산염의 형태로 존재한다. 하지만 단결정 실리콘의 경우에는 반응성이 극히 작아 고온에서가 아니라면 거의 반응을 하지 않아 산소, 물, 수증기 등이 영향을 끼치지 않는다. 그 이유는
quantum mechanics의 전자구조효과를 적용하였다.
③ 1979, Dr.Mimira가 Bell 실험소의 Dr.Dingle에게 단서를 얻어 HEMT를 발명했다는 소문으로 인해 노벨상을 받지 못하였다.
④ 1980, 서독의 Dr.Klitzing가 프랑스의 Grenoble 연구 센터에서 낮은 온도와 높은 전자장이 노출된 환경에서 MOSFET의 이차원 전자가스를